低温红外面阵读出电路中的高性能缓冲器设计.pdfVIP

128 传感器与微系统(TransducerandMicrosystemTechnologies) 2013年 第32卷 第5期 低温红外面阵读出电路中的高性能缓冲器设计 闫 广 ，赵毅强 (天津大学 电子信息工程学院，天津 300072) 摘 要：使用 chrt0．35Ixm3．3VCMOS工艺设计了用于制冷型红外面阵读出电路的高性能输出缓冲器 ， 该缓冲器能在红外读出电路5M／s的读出速度下驱动约25pF的负载电容，在输出幅度为2V的条件下，建 立时间为40ns，平均功耗为3．94mA。给出了修改chrt0．35 m后的模型参数的仿真结果与最后的测试结 果 ，基本满足红外读出电路的设计要求。 关键词：低温；红外；AB类输出级；恒定跨导；轨到轨；低功耗 中图分类号：TN432 文献标识码：A 文章编号：1000-9787(2013)05--0128--03 Design ofhighperformancebufferforcryogenicIR