电路电子chap04精要.pptxVIP

4.2 半导体二极管;—— 导电能力介于导体和绝缘体之间; 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体;本征半导体中，载流子为自由电子和空穴。;本征激发;电子半导体;空穴半导体;4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主 要是 ，N 型半导体中的电流主要 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） ; 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成P型半导体区域和N型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成一个PN结 。; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成 N 型半导体和 P 型半导体。此时将在N型半导体和 P 型半导体的结合面上形成PN结。物理过程如下:; 在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定。;4. PN结的单向导电性;由上述分析可知：;6. PN结的电压与电流关系;a. 当u = 0时，i = 0 ；;/v_show/id_XMTMzMDcxNjUy.html; (1) 势垒电容CB; 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因 PN 结正偏时，由N区扩散到 P 区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。; 图 01.10 扩