《模拟与数字电子技术基础》2.6场效应晶体管放大电路的动态分析.pptVIP

一、 共漏组态放大电路的静态分析 2.6 场效应管放大电路的动态分析 2.6.1 共源组态基本放大电路的动态分析 2.6.2 共漏组态基本放大电路的动态分析 分压偏置共源组态场效应管放大电路如图所示，下图(a)采用增强型管；图(b)采用耗尽型管。两种电路除了场效应管的类型不同，其他部分都相同。 在进行动态分析之前，必须先进行静态分析，以确定晶体管是在恒流区工作。 (a) 采用增强型管 (b) 采用耗尽型管 图2.6.1 场效应管共源组态放大电路 2.6.1 共源组态基本放大电路的动态分析 1.采用耗尽型场效应管放大电路的静态计算 采用分压偏压对于耗尽型或增强型场效应晶体管均可适用。图(b)为耗尽型场效应管构成的放大电路。由直流通路可知 对N沟道，一般应使UGS0。 耗尽型场效应管的漏极电流 管压降 UDSQ= VDD－IDQ(Rd+R) 图 (b) 采用耗尽型管 一、 静态分析 2. 采用增强型场效应管放大电路的静态计算 式中IDO是uGS=2UGS(th) 时所对应的iD。 如果放大电路采用增强型场效应管，则栅源电压 一般应使UGS0。 增强型场效应管的漏极电流 管压降 UDSQ= VDD－IDQ(Rd+R) 在求工作点解方程式时，需从两组解中挑选一组合理的解。 图(a) 采用增强型管 自给偏压共源组态场效应管放大电路如图(c) 所示。建立正确的偏压就是建立正确的静态工作点，图示电路中的场效应管应该采用N沟道耗尽型MOSFET。因为栅流等于0，所以UG=0V、US=IDR， UGSQ= -IDQR 。 根据场效应管的转移特性曲线，静态工作点Q应位于第二象限。漏极电流 图(c) 自给偏压共源放大电路 管压降 UDSQ= VDD－IDQ(Rd+R) I D 3. 自给偏压共源组态放大电路静态计算 将图2.6.1放大电路的微变等效电路画出，见图2.6.3。根据微变等效电路进行求解 图2.6.3 中频微变等效电路 因 ，所以 式中RL=rds//Rd//RL。 如果有信号源内阻Rs时，源电压增益为 Ri= Rg1// Rg2 为输入电阻 1. 电压放大倍数 二、 动态分析 根据微变等效电路，有 场效应晶体管具有输入电阻高的特点，但是由于偏置电阻并联的影响，其输入电阻并不一定高。采用图2.6.5的电路可以提高场效应管放大电路的输入电阻。 2. 输入电阻 图2.6.3 中频微变等效电路 图2.6.5的微变等效见图2.6.6，由图可得 图2.6.5 共源放大电路 图2.6.6 微变等效电路 输入电阻由偏置回路的电阻决定。 根据输出电阻的定义，令源电压等于0，负载电阻开路，并在输出端加一个测试电源，可得求输出电阻的微变等效电路，如图2.6.4 所示。此时受控源相当开路。然后计算输出电阻，于是 = rds∥Rd 图2.6.4 求输出电阻的微变电路 3. 输出电阻 图2.6.2 共源放大电路 　　由以上分析可知，共源组态放大电路与共射组态放大电路有相同的基本特点： 　　１. 电压放大倍数较大。 　　２. 输出电压的相位与输入电压的相位相反。 　　3. 共源组态放大电路的输入电阻主要由偏置电路决定，采用一定的偏置电路方式可以获得高的输入电阻，这一点与共射组态放大电路有所不同。 4. 共源放大电路的特点 　　４. 共源组态放大电路的输出电阻近似等于漏极负载电阻。 共漏组态基本放大电路如图2.6.7所示，其直流工作状态分析如下。 图2.6.7 共漏组态放大电路 图2.6.8 放大电路的直流通路 2.6.2 共漏组态基本放大电路的动态分析 根据直流通路，可以计算出工作点的参数值: 将给出的放大电路的参数代入以上各公式，考察计算值，应满足线性工作条件。 不等于0 1. 电压放大倍数 先画出图示电路的中频微变等效电路，见图2.6.9。可求出电压放大倍数 图2.6.9 共漏组态放大电路微变等效电路 式中当 、 时，RL= ≈R//RL。 为正，表示输出与输入同相；一般均可满足gmR?L?1的条件，所以 ≈1。 二、动态分析 图2.6.7的微变等效见图2.6.6，由图可得 图2.6.9 微变等效电路 图2.6.7 共