硅片清洗设备的日常维护.pdfVIP

维普资讯 - 电 子 工 业 专 用 设 置 · 设备维护与保养 · 闫志瑞，李俊峰，刘红艳 ，万关 良，李耀东，鲁进军 (有研半导体股份有 限公司，北京 100088) 摘 要：对硅片清洗设备的 日常维护从清洗工艺的角度进行了分析，并对具体问题的处理方案进 行 了阐述 ，从而使清洗设备工作更加稳定。 伴随着硅片的大直径化，器件结构的超额微小 另外，在半导体材料及器件生产厂家，槽式清 化、高集成化，对硅片的洁净程度、表面的化学态、 洗设备被广泛使用，由于该类清洗设备清洗工位较 微粗糙度、氧化膜厚度等表面状态的要求越来越 多，任何一个环节的疏忽，都会导致最终清洗后硅 高，而清洗后硅片表面的各种性能在一定程度上又 片表面质量不合格，且主要表现为硅片表面颗粒超 由清洗设备本身决定，因此，对硅片清洗设备的日 标和硅片表面金属沾污超标。 常维护就尤为重要。但是在传统的观念中只注重对 设备硬件的维护，而忽略了对清洗工艺的维护，在 2 硅片表面的颗粒的监控 实际的生产中这方面更为重要。 由于硅片表面颗粒数是硅片表面质量的重要 1 问题的提出 参数，去除颗粒也是硅片清洗最主要的 目的，所 以 需对清洗设备对颗粒的去除能力进行监控，具体方 目前，在半导体的生产中广泛使用的为湿式化 法为： 学清洗方法，该方法是在 1970年WernerKern提出 (1)在进行 日常的生产时，首先需准备少量洁 的RCA清洗技术基础上加以改进、演化而来的。在 净的硅片 (如 l0片)，每天在进行正常的硅片清洗 该清洗方法中有大量的化学试剂被使用，具体使用 前，对该 l0个硅片进行清洗，且在清洗前后对该硅 的化学试剂及其主要作用见表 l。 片进行表面颗粒的检测，然后对测试结果进行分 表 1常用的化学清洗溶液 析。如果发现清洗后硅片表面的颗粒数较清洗前减 名称 组成 作用 少或无明显变化，则表面清洗设备工作正常，可以 SPM H2S()．-H202：H2o 去除重有机物沾污。但当沾污 进行正常的硅片清洗；如果发现清洗后硅片表面颗 非常严重时，会使有机物碳化 粒数较清洗前明显增加，则表明清洗机工作异常， 而难 以去除。 需进行相应的维护 。针对此工作也可以根据生产的 DHF HF：(H202)：H20 腐蚀表面氧化层，去除金属沾 具体情况对其即进行SPC控制，即：颗粒去除数=清 污 。 洗后颗粒数一清洗前颗粒数 APM(SC1)N~LOH：H202：H20 能去除粒子、部分有机物及部 (2)如发现上述情况，则需进行如下处理 (对 分金属。此溶液会增加硅片 于容积约为50L的工艺槽)： 表面的粗糙度。 1) 将各槽中原液排干，用 DI水将槽子冲洗 HPM(SC2)HCL-(H202)：H20 主要用于去除金属沾污 一 次，然后将槽中水排尽； 收稿 日期 ：2003—12-26 维普资讯 ：鱼塑堡菱：