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学兔兔 垒：! 高性能带隙基准源设计 High-performance bandgap reference source is designed 李正大 ，解 琳 ，佘彦武。 LI Zheng~da。，XIE Lin ，SHE Yan—WU’ (1．长沙学院电子与通信工程系，长沙410003；2．长沙市南雅中学，长沙410129) 摘 要：文章研究的是带隙基准源电路设计，它是一种全新的多段式温度补偿的电路，非线性温度补偿 是充分利用MOS管漏掉电流得以实现；在电源和运放两者之间引入负反馈的方式来对提高其 电源电压抑制比 (PSRR)，电路构思清晰、简单，状态稳定、优异。 关键词：带隙基准源；高精度；分段线性补偿 中图分类号：TN495 文献标识码：A 文章编号：1 009-01 34(201 3)1 2(下)一01 08—03 Ooi：1 0．3969／J．issn．1 009-01 34．201 3．1 2(下)．31 1带隙基准源的研究现状 供稳定性能来实现对现代高精度要求的的需求， 基准源是模拟集成电路中最重要的模块，在 此外，在电路设计上和指标上，对PSRR也是传统的 较高精度的电路中常用于其精度的参考电位的设 设计中很难被重视一个重要因素。因此，要构件 计中运用，例如：在LM393、A／D、D／A、RAM、 一 种拥有高电源电压抑制比PSRR(81dB以上)和 FLASH等。这样设计的结构因有相对而言简单的 低温度系数 (10ppm／oC以下)的带隙基准源。各 种温度段的高阶补偿完全采用巧妙的NMOS管遗 电路原理和清晰的结构和相当稳定的温度特性， 因此，受到很多设计者的青睐。通常，一种基准 失电流量的方式来完成，该篇文章探究的带隙基 源性能评价指标很多，一个优异的设计应该包 准源可以将温度系数稳定到8．0—8．2ppm／~C。不仅 含：1)电压抑制比 (PSRR)；2)环境温度容忍 如此，为了提高带隙基准源的PSRR，我们通常是 度；3)可靠性；4)工艺精度；5)功率；6)噪 在运算放大器和工作电源之间直接导入负反馈的 音比；7)能耗；8)成本等等。 方式实现的，获得了80dB以上的低频电源电压抑 针对pn结电压具有负温度系数的特点，上世 制比 (PSRR)，这个结果是比较理想的。 纪有人提出了用线性补偿的方法获得电压的基准 2．1设计电路 电压，这种电压恰好是硅的带隙电压，所以人们 在低温阶段出现负温度系数占主导时，可以 统称带隙基准源。现在，CMOS工艺成为最主要 损失一部分Q4(晶体管)上的电流量，就等于间 的研究方向，在当时技术落后，双极型的工艺较 接阻止了负温度系数，原因就是Q4上的压降在减 容易实现，所以刚开始是双极性的。在研究CMOS 小；当进入高温段时，正温度系数同样占主导， 工艺时，由于工艺不成熟存在很多问题如：工艺 也可以遗漏电阻R4上的一些电流量，那么电阻R4 误差和电压失调，性能不稳定，随着科技的发 上的压降势一定趋于平缓，就等于非直接降低了 展，传统的BiCMOS T_艺得到很大的改进而提升，