第3章二极管和其基本电路.pptVIP

电子与空穴 N型半导体的结构示意图如图所示： P型半导体的结构示意图如图所示： 3.2.5 PN结的电容效应 （1） 扩散电容CD （2） 势垒电容CB （此部分略） 3 二极管及其基本电路 3.3 半导体二极管 3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3 二极管及其基本电路 3.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 (1) 点接触型二极管 3 二极管及其基本电路 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 （a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 (2) 面接触型二极管 (b)面接触型 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 3 二极管及其基本电路 3 二极管及其基本电路 面接触型二极管一般由硅材料制作的较多，常见小功率硅二极管外形见下图所示。 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 3.3.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用式 表示 3 二极管及其基本电路 锗二极管2AP15的V-I特性 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或门坎电压。 当V ＞0 即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当V ＞Vth时，开始出现正向 电流，并按指数规律增长。 3 二极管及其基本电路 ① 正向特性 硅二极管的死区电压Vth=0.5V左右；实际导通电压约0.6～0.8V（ iD≥1mA ）。 锗二极管的死区电压Vth=0.1V左右；实际导通电压约0.2～0.3V左右。 锗二极管2AP15的V-I特性 当V＜0 时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0 时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流 IS 。 当V ≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 ② 反向特性 3 二极管及其基本电路 3.3.3 二极管的主要参数 （1） 最大整流电流 IF （2）反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM 二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。 为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。 3 二极管及其基本电路 （3）反向电流IR （4）正向压降VF （5） 极间电容 CJ（CB、 CD ） 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 3 二极管及其基本电路 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3 二极管及其基本电路 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 3 二极管及其基本电路 例 3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻 R， 求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 3 二极管及其基本电路 是一条斜率为-1/R 的直线，称为负载线 Q 的坐标值（VD，ID）即为所求。Q 点称为电路的工作点 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 3 二极管及其基本电路 （1）理想模型 （2）恒压降模型 （b）电路模型 （a）V-I 特性 （b）电路模型 （a）V-I 特性 3 二极管及其基本电路 （3）折线模型 （4）小信号模型 3 二极管及其基本电路 vs =0 时, Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。 vs =Vmsin