第3章场效应晶体管和其放大电路.pptVIP

第三章：场效应晶体管及其放大电路 北京邮电大学电信院电路与系统中心 Gdeng@263.net 内容提要 N沟道增强型场效应管的结构 N沟道增强型场效应管的基本工作原理(一) N沟道增强型场效应管的基本工作原理(二) N沟道增强型场效应管的基本工作原理(三) N沟道增强型场效应管的输出特性曲线(一) N沟道增强型场效应管的输出特性曲线(二) N沟道增强型场效应管的转移特性曲线(一) N沟道增强型场效应管的转移特性曲线(二) MOS场效应管的击穿 MOS场效应管衬底调制效应(一) MOS场效应管衬底调制效应(二) P沟道增强型MOS场效应管(一) P沟道增强型MOS场效应管(二) 耗尽型MOS场效应管(一) 耗尽型MOS场效应管(二) 耗尽型MOS场效应管(三) 耗尽型MOS场效应管(四) MOS管类型总结 结型场效应管的结构 结型场效应管的基本工作原理(一) 结型场效应管的基本工作原理(二) 结型场效应管的基本工作原理(三) 结型场效应管的特性曲线 大功率管的作用 VDMOS型场效应管 IGBT型管 MOS场效应管的瞬态模型 MOS场效应管的微变信号模型 结型场效应管的微变信号模型 场效应管放大电路的要点 偏置变量的相关回顾 分压式偏置 自给偏压式偏置(一) 自给偏压式偏置(二) 场效应管的三种基本组态放大电路 场效应管基本共源放大电路 场效应管基本共栅放大电路 场效应管基本共漏放大电路 场效应管基本电流源(一) 场效应管基本电流源(二) 场效应管串联电流源 场效应管威尔逊电流源 MOS管有源电阻 NMOS管共源E/E型放大电路 NMOS管共源E/D型放大电路 CMOS共源放大电路 三种单级放大电路的主要性能比较 场效应管差分放大电路综述 MOS管基本差分放大电路(一) MOS管基本差分放大电路(二) MOS管基本差分放大电路(三) MOS管有源负载差分放大电路(一) MOS管有源负载差分放大电路(二) MOS管有源负载差分放大电路(三) 差放中的衬底调制效应 模拟开关综述 单管MOS模拟开关(一) 单管MOS模拟开关(二) 单管MOS模拟开关(三) 单管MOS模拟开关(四) CMOS传输门 CMOS模拟开关 CMOS模拟开关的应用举例 第四节：场效应管放大电路 第四节：场效应管放大电路 分析方法与三极管放大电路相同，仍然是先静态后动态，既可以使用图解法又可以使用等效电路法 注意偏置电路的设置（对于不同的场效应管来说有不同的设置需求） 由于栅极电流为零，因此在等效模型中的栅极为悬空。受控电流源所反映的为栅源电压对漏极电流的控制作用 跨导一般较小，从而使得场效应管放大电路的具体参数与三极管放大电路相比有一些不同之处 第四节：场效应管放大电路 所谓偏置，就是给器件加一定的电压(或电流)，使其工作点偏离原点，以便器件能够在电路中按照人们的要求工作。对于放大运用来说，器件应工作于放大(恒流，饱和)区 当大信号工作时，静态工作点的位置及动态运用的范围影响非线性失真 当小信号运用时，只要是在放大区，静态工作点的位置并不影响非线性失真，但将影响放大量(动态范围)和功率消耗 偏置电路应兼顾静态工作点的稳定、功率消耗。大信号运用时，静态工作点的不稳定还影响动态运用范围和功率损耗，后者将牵涉到器件的安全运用 第四节：场效应管放大电路 管状态的分析过程与三极管类似，即先假定管处于饱和状态并展开分析看结果是否一致 对于不同类型的管子来说，应注意： N沟道增强型 N沟道耗尽型 N沟道结型 P沟道型管 电源电压应为负值 第四节：场效应管放大电路 静态时靠源极电阻上的电压为栅－源提供一个负的偏压，故称自给偏压 增强型场效应管为同极性偏置 结型场效应管为反极性偏置 耗尽型MOS场效应管两者均可 自给偏压适用于结型或耗尽型管 第四节：场效应管放大电路 偏置电阻对交流信号有损耗作用，也降低了放大电路的输入电阻 在集成电路中，本级放大电路的输入端直流偏置通常由前级电路的输出提供 必要时加入直流电平移动单元，称这种偏置方式为直接偏置 第四节：场效应管放大电路 共源与共射对应 共漏与共集对应 共栅与共基对应 第四节：场效应管放大电路 基本特性及应用范围同共射电路 第四节：场效应管放大电路 基本特性及应用范围同共基电路 第四节：场效应管放大电路 基本特性及应用范围同共集电路 第四节：场效应管放大电路 T2管的 ，保证其工作在饱和区 设 忽略沟道长度调制效应后( )，若两管参数对称则为镜像电流源，否则为比例电流源 第四节：场效应管放大电路 为了提高集成度，通常用有源电阻代替一般电阻 合理设计T1、T3管的宽长比，即可得到符合要求的参考电流 第四节：场效应管放大电路 T3、T4特性相同 输出电流几乎不受电流源输出端电压的影响，从而使输出电阻大