半导体制程安全期末答案.doc

半導體製程安全期末考試題 學號：___________________ 姓名：__________________ 是非題（每題 2.5 分） 1. 矽晶體中若摻雜砷（As）元素會形成正型（p-type）半導體。 2. 依危險物及有害物通識規則物質安全資料表至少應三年更新一次。 3. 微影成像（photolithography）可對晶體材料進行摻雜（doping）。 4. 正型光阻劑的溶解度隨曝光程度的增加而降低。 5. 依 NFPA 規範，當風管貫穿半導體廠防火結構時，在防火牆兩側之防火結構延伸距離應選擇六公尺或兩倍管徑中較大者。 6. FM 之耐燃材料規範，係測試材料之火焰傳播指標與煙產生指標。 7. UL 以 Cone Calorimeter 材料測試方法，測試材料之耐燃特性。 8. 機械設備用語「Fail-Safe」係指「失效也安全」。 9. ITRS 國際半導體技術里程每年修訂一次，資料可由美國 SEMATECH 機構取得。 10. SEMI S2是有關於半導體排氣安全的規範。 11. 隨著半導體製程限距的縮小，元素週期表中之過度金屬越被使用，環安工程師應注意過度金屬及其氧化物對員工的危害。 選擇題（單選，每題 2.5 分） 答案可能為 0 1. 所謂負型（n-type）半導體係指 ( 接近或位於導帶的電子洞較電子多 ( 半導體中淨電荷為負 ( 半導體中淨電荷為正 ( 為本徵半導體 ( 接近或位於導帶的電子較電子洞多。 2. 下列何族元素的化合物不可做為半導體基質材料？( IV-IV ( III-V ( II-VI ( IV-VI ( III-V。 3. 各級積體電路所含的元件數，何者為是？( MSI LSI ULSI VLSI ( MSI LSI VLSI ULSI ( MSI LSI VLSI ULSI ( MSI LSI ULSI VLSI ( LSI MSI VLSI ULSI。 4. 有關半導體的導帶（conduction band）與價帶（valence band），以下何者為是？( 導帶與價帶有重疊區域 ( 導帶最低能量低於價帶最高能量 ( 價帶最高能量高於導帶最高能量 ( 價帶最低能量高於導帶最低能量 ( 導帶與價帶距離較絕緣體大。 5. 下列何者不是半導體元件所能提供的功能？( 放大 ( 整流 ( 發電 ( 發光 ( 記憶。 6. 在矽原料純化過程中，以焦炭冶鍊產生 ( 多晶矽 ( 非晶矽 ( 結晶矽 ( 晶圓 ( 晶棒。 7. 在矽原料純化過程中，將矽氯化成 SiCl4 的原因是 ( 較安全 ( 易於保存 ( 形成結晶 ( 可使用蒸餾方式純化 ( 易於輸送。 8. 以下何種製程需要使用到石英爐？( 擴散 ( 植離子 ( 蝕刻 ( 微影成像 ( 封裝。 9. 經長晶所形成的材料未切割前稱為 ( ingot ( wafer ( die ( silica ( chip。 10. 上圖中標示 n+ 的區域可能是由何種製程所形成？( 氧化 ( 擴散 ( 蝕刻 ( 磊晶 ( 微影成像。 11. 續上題，哪一部分是由氧化製成所形成？( p-substrate ( Al ( Polysilicon ( SiO2 ( n+。 12. 右圖中製程係屬於 ( 磊晶 ( 擴散 ( 金屬化 ( 氧化 ( 植離子。 13. 有關矽甲烷，以下何者為非？( 於矽原料氯化時產生 ( 化學式 SiCl4 ( 又名 silane ( 會發生危險之聚合 ( 會與水反應。 14. 有關 SiCl2H2，以下何者為非？( 又名二氯矽烷 ( 又名 tetrachlorosilane ( 在常溫下以氣體存在 ( 與空氣中濕氣接觸會產生 HCl 燻煙 ( 會與鹼性物質反應。 15. WSC 的 PFC 減量目標是預定於 2010 年, 將 PFC 的排放減至各產業協會基準年排放量之( 90% ( 60% ( 40% ( 10%。 16. 下列破壞 PFC 的設備，何者的有效操作溫度較低? (氫氧焰燃燒式 (甲烷燃燒式 (觸媒裂解式 (電熱裂解式。 17. 電漿式 PFC 破壞設備需少量加入下列何物質,以增加 PFC 的轉化效率? (氧 (二氧化碳 (氮 (水。 18. The baseline year of TSIA PFC emission reduction is year ( 1995 ( 1997 ( 1998 (1999. 19. The following chemicals which one is the best known PFC by-product of C3F8 chamber cleaning process? ( C