〔模拟电路基础〕课程教学大纲.docVIP

《模拟电路基础》课程教学大纲 一、课程性质和任务? 《模拟电路基础》是电气信息类专业的专业基础课程。对于应用电子技术专业而言更是第一门最基础的电子技术类课程。电子技术是研究电子器件（主要是半导体器件）、电子电路和系统的应用技术。现代电子技术已深入到通信、控制、计算机和生物医学工程等领域。这些领域使用的大量电子电路涵盖了从模拟信号到数字信号，从低频电路、射频电路到微波毫米波电路。学生通过《模拟电路基础》课程学习各种电子电路的核心器件 ? 半导体器件的原理及其最基本的应用。因此，该课程的重要性是不言而喻的。 二、教学内容和要求? 第一章 晶体二极管及应用电路 导体知识（一般了解）： 本征半导体与杂质半导体（P型与N型），本征激发与复合，杂质电离，空穴导电 原理，多子与少子，漂移电流与扩散电流的概念，PN结的形成：耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。 二极管知识（掌握）： 二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通 电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻（估算式），硅管与锗管的区别。 二极管应用 单向导电特性应用（掌握）：整流与限幅。能分析简单二极管电路。正向导通特性应 用：恒压源及模型。反向击穿特性及应用：反向击穿现象（了解），反向击穿应用：稳压管及电路（掌握）。电容效应及应用（了解）：势垒电容与扩散电容，变容二极管原理。 ? 第二章 双极型晶体管（BJT） 1、BJT原理 NPN和PNP管，放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解），放大偏置的外电流关系（掌握传输方程，,β￣ , ICBO, ICEO的概念），放大偏置时的vBE、vCE作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应），BJT的截止与饱和状态。 2、BJT静态伏安特性曲线共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。 3、BJT参数 ,β￣ ,α,β, ICBO, ICEO , ICM ,PCM ,BVCEO 和 fT的含义 4、混合π模型会画完整模型和了解模型参数的物理含义。 重点掌握两种简化模型（g m参数和β参数模型）及其模型参数的求解式。 ? 第三章 晶体管放大器基础 1、放大器的一些基本概念（正确理解） 信号源（内阻，源电压，源电流），负载电阻，输入输出电压（电流），耦合电容与旁路电容，直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程。 2、BJT偏置电路 掌握工作点的估算，基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。 3、BJT三种基本组态放大器 小信号放大器指标（正确理解）：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻。 CE、CC、CB放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式）。 交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（针对CE放大器）。 4、多级放大器 级间耦合方式，直流放大器的特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算。 ? 第四章 场效应管（FET）及基本放大电路 FET原理了解FET的分类、电路符号，了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作 原理，放大区的沟道状态及vGS和vOS此时对iD的影响 FET特性曲线以N沟道JFET为重点，了解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区 的平方律公式。 FET偏置电路（自给偏压和混合偏置）掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。 FET的小信号模型理解g m的含义及计算式，理解rds含义，完整模型和低频模型。 FET的CS和CD组态放大器放大器电路、指标计算及特点（掌握）。 ? 第五章 模拟集成单元电路 1、恒流源(理解电路原理) 恒流源电路的原理和模型，基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点，有源负载放大器原理。 2、差动放大器（重点掌握基本概念和分析方法） 差放的信号分解（vic、vid与任模信号关系），各种差放电路，工作点估算，差放的指标（Avd，Avc，KCMR，Rid，Ric , Ro）及用单边等放电路法求指标，差放抑制零漂的原因，差放的小信号范围及大信号限幅特性（了解）。 3、OCL和OTL功率输出电路 功放的分类，乙类功放优于甲类功放的特点，乙类功放的交越失真及克服方法。OCL和OTL电路原理及满激励指标（掌握），功率管极限参数（ICM ,PCM ,BVCEO）对OCL和OTL功放的限制，实用电路分析（定性），复合管（正确复合方式）。 ? 第六章 放大器的频率响应 1、放大器频率响应的概念及描述 产生频率响应的原因，放大器频率特性函数，fL 、fH 、BW的定义，幅频特性和相频特性函数，频率失真（幅频失真、相频失真）及其与非