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主讲：XX老师 第6章 内存系统故障维修 6.1 存储器类型与组成 6.1.1 存储器的类型 DRAM：DDR2/DRR3 内存 SRAM：CPU内部Cache 存储器 半导体：闪存（SSD/U盘） 外存 磁介质：HDD 光介质：CD-RAM/DVD/BD 6.1 存储器类型与组成 6.1.1 存储器的类型 传统内存定义：直接与CPU进行数据交换的存储器称为内存，不能直接与CPU进行数据交换的存储器称为外存。 本书内存定义：采用DRAM芯片构成的存储系统，它由安装在主板上的内存条组成。 6.1 存储器类型与组成 6.1.1 存储器的类型 6.1 存储器类型与组成 6.1.1 存储器的类型 外存材料和原理更加多样化。 外存要求：容量大，价格便宜，断电后数据不会丢失。 外存类型： 半导体材料，如SSD、U盘、CF卡等； 磁介质材料，如硬盘、软盘、磁带机等； 光介质材料，如CD-ROM、DVD-ROM、BD-ROM等 6.1 存储器类型与组成 6.1.2 半导体存储技术发展 CMOS工艺制造的DRAM，只需要1个晶体管和1个电容就可以存储1位数据。 内存芯片制程工艺达到了45nm线宽。 单内存芯片存储容量达到了2Gbit。 DRAM与SRAM的性能差别在缩小。 SRAM是对晶体管锁存器进行读写。 DRAM是对存储器电容进行读写。 6.1 存储器类型与组成 6.1.3 内存基本类型 JEDEC制定了一系列的内存技术标准。 SDRAM可以实现与CPU的同步工作，因此称为“同步动态存储器”。 SDRAM属于DRAM，它不是SRAM。 SDRAM内部有几个P-Bank（物理存储阵列组），通过多个存储阵列组的切换，读写数据的效率得到了成倍提高。 6.1 存储器类型与组成 6.1.3 内存基本类型 DDR在时钟上升和下降沿都可传输数据。 SDRAM仅在时钟下降沿传输数据。 一般将DDR SDRAM内存统称为DDR内存。 6.1 存储器类型与组成 6.1.4 内存组成形式 不同标准的内存条，外观上并没有太大区别，但它们的工作电压、引脚数量、功能定义和定位口位置不同，互相不能兼容。 6.1 存储器类型与组成 6.1.4 内存组成形式 6.1 存储器类型与组成 6.1.4 内存组成形式 SPD是一个8引脚、TSOP封装、容量为256字节的EEPROM芯片，工作频率多为100kHz。 SPD芯片记录了内存的类型、工作频率、芯片容量、工作电压、各种主要操作时序、版本等技术参数。 6.1 存储器类型与组成 6.1.4 内存组成形式 6.1 存储器类型与组成 6.1.4 内存组成形式 内存条金手指镀金厚度为0.4μm～1.3μm，据测试，0.4μm的镀金厚度插拔200次，1.3μm的镀层可以插拔2000次左右。 6.1 存储器类型与组成 6.1.5 内存芯片封装形式 封装形式：DIP、TSOP、BGA DDR3内存采用FBGA封装形式 6.2 存储单元工作原理 6.2.1 DRAM存储单元工作原理 6.2 存储单元工作原理 6.2.1 DRAM存储单元工作原理 DRAM存储单元的工作原理类似于一个水桶中的浮动开关。 高位为“1” 低位为“0” 水桶总是漏水 6.2 存储单元工作原理 6.2.1 DRAM存储单元工作原理 晶体管M控制电容CS的充电和放电，电容CS用于存储数据。 电容CS有电荷时， 存储单元为逻辑1； 电容CS没有电荷时， 存储单元为逻辑0。 6.2 存储单元工作原理 6.2.1 DRAM存储单元工作原理 动态刷新是周期性的对DRAM中的数据进行读出、放大、回写操作。 DDR内存刷新周期为64ms左右。 6.2 存储单元工作原理 6.2.2 SRAM存储单元工作原理 SRAM工作原理类似于一个开关。 开=“1”；关=“0” 一个SRAM存储单元 由6个MOS晶体管组成。 6.3 内存芯片工作原理 6.3.1 内存芯片电路结构 DDR内存芯片组成： 存储阵列、逻辑控制单元、地址总线、数据输入/输出总线、刷新计数器、数据掩码逻辑单元、数据选取脉冲发生器、延迟锁定环路等。 6.3 内存芯片工作原理 6.3.2 内存芯片存储阵列结构 存储阵列：存储单元以“位”的形式进行存储，由于“位”不便于微机处理，因此内存芯片采