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SVF3N80M(MJ)(F)(D)(T)说明书_1.3-L技术文档
SVF3N80M/MJ/F/D 说明书
3A、800V N沟道增强型场效应管
描述
SVF3N80M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体
管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先
进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电
阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换
器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 3A，800V，RDS(on)(典型值)=3.8Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式
SVF3N80MJ TO-251J-3L SVF3N80MJ 无铅 料管
SVF3N80M TO-251D-3L SVF3N80M 无铅 料管
SVF3N80T TO-220-3L SVF3N80T 无铅 料管
SVF3N80F TO-220F-3L SVF3N80F 无铅 料管
SVF3N80D TO-252-2L SVF3N80D 无铅 料管
SVF3N80DTR TO-252-2L SVF3N80D 无铅 编带
杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 2012.01.13
Http:// 共10页 第1页
SVF3N80M/MJ/F/D 说明书
极限参数(除非特殊说明，T =25°C)
C
参数范围
参 数 符 号 单位
SVF3N80M/D SVF3N80MJ SVF3N80F SVF3N80T
漏源电压 VDS 800 V
栅源电压 VGS ±30 V
T =25°C 3.0
C
漏极电流 ID A
TC=100°C
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