固体化学-chap5-slx.pdf

第五章晶体缺陷的平衡 点缺陷的热力学理论基于如下假设： 一个实际的晶体可以看作是一个溶液体 系，晶格点阵是体系中的溶剂，点缺陷是 溶质。 当点缺陷的浓度很低时，可处理为稀溶液 体系。 电子、空穴以及各种点缺陷都可以看作是 象原子、离子、分子一样的化学组元，它 们参加的反应也可以看作是类化学反应。 可以用类化学反应方程加以描述。 缺陷的类化学平衡 本征半导体受热或受光辐射产生电子和空 穴，类似于纯水的电离。 H[ OH][ ]K + − wn p K⋅ g 杂质半导体电离出电子或空穴，类似于弱 酸或弱碱的电离。 NH OH NH OH↔ + + − • D D↔ e + 4 4 − + A A↔h + • HCl Cl ↔H + 点缺陷的局域能级 价带(Valence band)：价带中的电子是定域 的，不能在晶体中自由移动。 导带(Conduction band)：导带中的电子可在 晶体中自由运动。 禁带(Forbidden band)、能隙(Energy gap)、 能带隙(Band gap)：位于导带和价带之间， 不存在电子轨道的能量区域。 施主缺陷 1 施主缺陷 As掺入Ge中，形成As × Ge As有5个价电子，电子填满晶体价带之后， As + e − + 还多出一个，相当于 Ge ，但As原子对 这个额外电子的束缚相对于Ge原子要弱， 因此该电子的能量高于一般价带中的电 子，而位于导带底部的禁带中。 施主缺陷 As E +As →e × + • , 导带 Ge D Ge E As × D × E 是使 激发一个电子所需能量 As D Ge Ge As × 是一个能给出电子的缺陷，叫 Ge 做施主缺陷，它所在的能级叫做施 主能级，ED 叫施主电离能。 价带 这种以电子导电为主的半导体叫做 n型半导体。 受主缺陷 2 受主缺陷 B掺入Ge中，形成 B × Ge B有只3个价电子，相当于晶体中价带未完 全充满，或者说缺陷处的价带中存在一个 , 空穴，相当于