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学兔兔 务l 匐 化 一 种集成稳压电路的设计与研究 The research and design of regulator 兰燕娜’，薛同莲’，罗向东 i_AN Yan—na 。XUE Tong．1ian 。LUO Xiang．dong (1．南通大学 理学院。南通22600；2．南通大学 省专用集成电路设计重点实验室，南通226001) 摘 要：设计了一种采用CSMC 0．6um CMOS工艺的集成带隙基准电压源电路。仿真结果表明，在电 源电压VDD为5vat，在 的温度范围内，电路得到一个温度系数为37．3533pPm／℃，电源抑制 比 (PSRR)为4 3．98dB的带隙基准电压输出，性能较为理想。 关键词：温度系数；带隙基准；CMOS工艺 中国分类号：TN43 文献标识码：A 文章编号：1009-0134(2Ol1)2(下)-0025-04 Dloi：1 0．3969／J．issn．1 009-01 34．2011．2(下)．09 0 引言 这些参数与温度的关系可以表示为／,t％u。 ，其 中，，，2 -3／2，并N n2 OC T。exp[一点 (七7)】，其中 稳定的基准电压源是模拟集成电路和混合集 成电路的重要模块，广泛应用于诸如高精度比较 ≈1．12eV，为硅的带隙能量。所以 器、模／数转换器、数／模转换器、偏置电路等集 6 exp (2) 成电路设计中 。带隙基准电压源具有良好的输 出精度和稳定的温度特性，已经成为目前使用最 其中b是一个比例系数。由式(2)，可以得到， 为普遍的电压基准源口 。本文设计了一种带隙基 a ls b(4+m)T3+m exp- Eg · 一 +bT4+m = 准电压源，采用CSMC0．6um CMOS 2P2M标准工 [exp鲁] 艺，具有电源抑制比高和温漂低等特点，能够较 (3) 好满足芯片的整体要求，具有一定的实用性。 1 理论分析 带隙基准的工作原理是根据硅材料的带隙电 OT T (4+ 、 。 2 (4) 压的温度无关的特性，利用△ 的正温度系数与 双极型晶体管 的负温度系数相互抵消，实现 Vr OIs = (4+ ) T+ I。 aT 、 kT2 l (5) 低温漂、高精度的基准电压，即 = 。 + 口： 。选择适当的参数，使两个电压的温度漂移 由式 (1)和式 (5)，我们可以得到 相互抵消，从而可以得到在某一个温度下为零温 度系数的电压基准 。