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电路基础与集成电子技术163随机存储器RAM
16.3.1.1 存储矩阵 当所要存储的信息量大于RAM的存储容量时,往往把多片RAM组成一个容量更大的存储器,以满足实际工作的需要。扩容后每次只与其中的一片或几片交换信息,这种信息的交换就是通过片选控制端 进行控制的。 当 =L时,表示该片RAM被选中,处于读或写的工作状态;未被选中者 =H,输入/输出端均处于高阻态,虽然挂接在总线上,也不能进行数据交换。 * 第16章 半导体存储器与可编程逻辑器件 2010.03 16.3 随机存储器 16.3.1 静态RAM的结构和工作原理 16.3.2 集成RAM RAM是Random Access Memory的缩写,通常称为随机存储器,也称为读写存储器。它的特点是在工作过程中,数据可以随时写入和读出,使用灵活方便,但所存数据在断电后消失。 RAM按着工作原理分为: 1. 静态随机存储器SRAM:只要不断电,数据不丢失 2. 动态随机存储器DRAM:通电时要不断对存储的数 据进行刷新,否则数据丢 失 RAM电路由地址译码器、存储矩阵和读/写控制电路组成,RAM的读、写操作由读/写控制电路管理。 RAM的核心是基本存储单元,其结构有双极型和MOS型两种,双极型的已经很少使用。 16.3.1 静态RAM的结构和工作原理 SRAM的存储矩阵由许多存储单元构成,每个存储单元存放一位二进制码,“0”或“1”。与ROM 存储单元不同的是,RAM存储单元的数据不是预先固定的,而是由外部的信息决定的。要存储这些信息,RAM存储单元必须用具有记忆功能的电路,如触发器等电路构成。 RAM电路由地址译码器、存储矩阵和读/写控制电路组成,RAM的读、写操作由读/写控制电路管理。 RAM的核心是基本存储单元,其结构有双极型和MOS型两种,双极型的已经很少使用。 16.3.1 静态RAM的结构和工作原理 RAM电路由地址译码器、存储矩阵和读-写控制电路组成。如图16.3.1所示,RAM中的核心是存储单元,其结构有双极型和MOS型两种。 图16.3.1 RAM的结构框图 地址译码器是最小项译码器,也称为N中取一译码器,一个地址码对应一条字线。当某条字线被选中时,与该字线相联系的存储单元就与数据线相通,以便实现读取数据或写入数据。 图16.3.1 RAM的结构框图 SRAM的存储矩阵由许多存储单元构成,每个存储单元存放一位二进制码,“0”或“1”。 SRAM的存储单元与ROM 存储单元类似,但不同的是,RAM存储单元的数据不是预先固定的,而是由外部信息根据工作需要随时写入的。要存储这些信息,RAM存储单元必须用具有记忆功能的电路,如触发器等电路构成。 当一个地址码选中相应的存储单元时,是读还是写,可采用高电平或低电平作为读写控制信号。当 时 ,执行读操作,RAM将存储矩阵中的内容送到I/O端; 当时 ,执行写操作,RAM将输入/输出端上的输入数据写入存储矩阵。在同一时间内不可能同时执行读/写指令,读和写的功能只能一项一项地执行。因此可以将输入线和输出线合用一条双向数据线(I/O),利用读/写控制信号和读/写控制电路,通过I/O线读出或写入数据。 16.3.2 集成RAM 以MOTOROLA公司生产的MCM6264为例,说明RAM的使用情况。图16.3.4为MCM6264的管脚图。其中A12~ A0为13根地址线,容量213×8 bit=64k;DQ7~DQ0为8位写入读出数据线,E1、E2 为片选端;G、W为读写控制端。功能表见表16.3。 图16.3.4 6264管脚图
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