CMOS模拟电路基本单元.ppt

CMOS模拟集成电路基本单元 一、模拟开关 二、有源电阻 三、电流源和电流沉 四、电流镜 五、CMOS基本放大器 六、CMOS差分放大器 七、CMOS基准源 八、CMOS振荡器 一、模拟开关 模拟开关在模拟集成电路设计中具有非常重要的作用 ； 分为NMOS模拟开关和CMOS模拟开关 ； NMOS模拟开关非理想模型 NMOS模拟开关的导通电压-电流特性 当NMOS模拟开关处于导通状态时，其沟道电流为 0VDSVGS-VT 导通电阻为 NMOS模拟开关的导通电压-电流特性 NMOS模拟开关的非理想效应及解决方法 动态范围小和时钟馈通效应 ; 时钟馈通效应主要是NMOS寄生电容所造成的，当控制信号发生较高频率的变化时，寄生电容CGS和CGD使NMOS的栅极分别和源/漏极耦合，产生输出失调 ； CMOS模拟开关是比较理想的技术，能有效提高开关动态范围，减小时钟馈通效应 ； 二、有源电阻 CMOS模拟集成电路会采用大量的电阻，一般采用阱、扩散和多晶（Poly）实现精确的电阻值。 在负载等应用中，其电阻值不需要很精确，只要求保证其值的量级，所以可以采用MOS器件实现电阻，并能保证非常小的版图面积。 有源电阻分压电路及并联电阻 三、电流源和电流沉 电流沉与电流源电路是两端元件，其电流值受栅电压控制，和加在MOS两端的电压无关。 一般来说，电流沉的负端电压接VSS，而电流源的正端电压接Vdd。 MOS工作在饱和区。 电流源 电流源的源漏电压应大于VMIN才能正常工作 电流源输出电阻提高技术 电流源输出电阻提高技术——Cascode 四、电流镜（电流放大器） 基本原理：如果两个NMOS（PMOS）的栅源电压相同，则沟道电流也相同。 NMOS基本电流镜电路及特性 （1）输出输入电流比值是MOS晶体管尺寸的比例关系，完全由集成电路设计人员控制； （2）当NMOS处于饱和态工作时，输出电流是随着VDS2的增加而近似线性增加的，而不是完全等于输入电流 MOS电流镜的非理想效应 MOS晶体管几何尺寸不匹配。 集成电路光刻工艺、腐蚀及横向扩散所引入的误差会是晶体管的几何尺寸不匹配，直接影响电流镜的比例电流关系。 MOS晶体管阈值电压不匹配。 在集成电路工艺中，MOS晶体管的栅氧化层存在线性梯度误差和随机误差，使得相同尺寸的MOS晶体管阈值电压存在不匹配，影响电流镜的比例电流关系。 沟道长度调制效应。 特别是亚微米及深亚微米电流镜的短沟道调制效应 Wilson电流镜 当NMOS处于饱和态工作时，输出电流是随着VDS2的增加而近似线性增加的，而不完全等于输入电流。解决方法是Wilson或Cascode电流镜 ； Wilson电流镜利用电流负反馈增加其输出电阻 ； 如果输出电流增加，则通过M2的电流也增加，而且由于M1和M2的镜像关系使输入电流也增加 如果输入电流保持不变，当输出电流增加时，M3的栅电压减小，抑制输出电流增加，所以保持了输出电流的恒定性 Cascode NMOS电流镜 五、CMOS基本放大器 放大器是集成电路的最基本单元电路之一； 用于提高模拟电路的驱动能力，也可以应用于于反馈系统； 基本CMOS模拟放大器，包括共源、共栅、共漏及Cascade放大器； 掌握CMOS基本模拟放大器的电路结构、小信号模型、增益及输出电阻简化公式 CMOS共源放大器 共源放大器是将MOS晶体管的栅源电压变化转换成小信号漏极电流，小信号漏电流流过负载电阻产生输出电压。 CMOS共源放大器 CMOS共源放大器 由于NMOS在线性区的跨导会下降，所以我们必须保证NMOS工作在饱和区 增加NMOS的W/L或减小源漏电流或增大RD的压降都可以提高共源放大器的小信号增益； 常采用有源负载或电流源作为负载，以增加等效电阻值，增加输出电压摆幅 CMOS共漏放大器 对于共源放大器来说，要获得高电压增益，必须提高负载电阻 ; 如果共源放大器驱动底阻抗负载工作时，为了减小信号电平的损失，必须在共源放大器后级引入缓冲器，一般采用共漏放大器作为缓冲器，所以共漏放大器又称为源极跟随器。 共漏放大器利用栅极接收输入信号，利用源极驱动负载，使源极输出电压跟随栅极电压。 CMOS共漏放大器 当VinVTN时，NMOS M1截止，输出电压Vout等于零 ; 随着输入电压的增大并超过VTN，M1由导通进入饱和工作状态，Vout开始随着输入电压的增加而增加 ; 进一步增大Vin，Vout将跟随Vin变化，输入和输出电压之间差值为VGS CMOS共栅放大器 在共源放大器和共漏放大器电路中，输入信号都是加在MOS晶体管的栅极，根