1半导体二极管及基本应用xin.ppt

教学目的： 1．了解半导体材料（本正半导体、掺杂半导体）的导电性质，认识PN结的形成和单向导电性； 2．了解二极管的结构，掌握二极管的伏安特性，了解二极管的重要参数和常用其他种类二极管。 教学内容： 1．半导体的基础知识：本征半导体的导电机制及其热敏性和光敏性、两种掺杂半导体材料导电特性、PN结的形成； 2．二极管的结构、伏安特性、主要参数； 3．其他常用特殊用途二极管：稳压二极管、变容二极管、LED和PIN。 稳压管应用时应注意： 应确保稳压管工作在反向偏置状态 稳压管工作时的电流应在Izmax、Izmin之间，因而电路中必须接限流电阻。 稳压管可以串联使用，串联后的稳压值为各管稳压值之和。 2.稳压二极管稳压电路 4. 变容二极管 利用二极管的结电容特性，反向连接于电路之中，工作于截止状态。结电容随外加电压的增加而减小，改变加在变容二极管上的电压，就能改变电容量，成为利用电压调整电路中电容参数的基本元件。 变容二极管的电路符号。 变容二极管的主要参数有： 最大结电容Cmax、 最小结电容Cmin、 反向击穿电压、 反向漏电电流以及Q值。 Q值越高的变容二极管，在高频电路中的损耗越小。为追求较高的Q值，减少流过二极管的电流，人们总是使变容二极管反向偏置于电路之中。 半导体二极管图片 本章小结 PN结的单向导电性是指导：正向偏置时，正向电流大；反向偏置时，反向电流小，只允许一个方向的电流流过PN结。一个PN结构成了一个二极管。 二极管的伏安特性代表了二极管在各种状态下，电流与电压之间的关系。 稳压二极管、变容二极管、光电二极管工作于反向偏置，而发光二极管工作于正向偏置。 如图所示的稳压二极管稳压电路中，已知：稳压二极管参数Uz=6V,Iz=3mA,调整电阻R=1K,负载Rl=1K,求输入电压Ui分别为10V和15V时的输出电压Uo. 如图所示电路中，已知R=500，Rl=500，稳压二极管的稳定电压Uz=10V，稳定电流Izm=30mA, Iz=5mA,试分析Ui在什么范围内变化，电路能正常工作？ 二极管的等效电阻越大 uo iZ DZ R iL i ui RL － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空间电荷区 N型区 P型区 电位V V0 1、空间电荷区中没有载流子。 2、空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴、N区 中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。 3、P 区中的电子和 N区中的空穴（都是少），数量有限，因此由它们形成的电流很小。 注意: 2. PN结的单向导电性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区加正、N 区加负电压。 PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区加负、N 区加正电压。 － － － － + + + + R E 一、PN 结正向偏置 内电场 外电场 变薄 P N + _ 内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。PN结导通 二、PN 结反向偏置 － － － － + + + + 内电场 外电场 变厚 N P + _ 内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流， PN结处于截止状态。在一定温度下，外加反向电压超过某个值时，反向电流将不再随着外加电压的增加而增大，称为方向饱和电流Is R E 1.1.3 半导体二极管 一、基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 P N 二极管的电路符号： 二、伏安特性 U I 死区电压 硅管0.7V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.8V,锗管0.1~0.3V。 反向击穿电压UBR 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 二极管的击穿??二极管处于反向偏置时，在一定的电压范围内，流过PN结的电流很小，但电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这种现象我们就称为反向击穿。?击穿形式分为两种：电击穿（齐纳击穿和雪崩击穿）和热击穿。 齐纳击穿：高掺杂情况下，耗尽层很窄，宜于形成强电场，而破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚形成电子－空穴对，致使电流急剧增加。 雪崩击穿：如果搀杂浓度较低，不会形成齐纳击穿，而当反向电压较高时，能加快少子的漂移速度，从而把电子从共价键中撞出，形成雪崩式的连锁反应。? 对于硅材料的PN结来说，击穿电压〉7v时为雪崩击穿，4v时为齐纳击穿。在4v与7v之间，两种击穿都有。这种现象破坏了PN结的单向导电性，我们在使用时要避免。? 击穿并不意味着PN结烧坏。 二极管反向击穿的类型