F2(离子镀)薄膜的制备方法.pptVIP

第二部分 第一章 薄膜的制备方法 (二).离子镀(Ion plating) ?离子镀(Ion plating)物理意义: 一定真空条件下,直流高压或灯丝发射电子使蒸发物质电离;直流高压加速使蒸发的膜料或其反应物蒸镀在基片上形成薄膜. ?四种离子镀方法（含反应离子渡） 直流法: 一般真空蒸发+直流高压电离;工作气压较高(低真空) 射频法: 直流法的基础上+射频;可在高一数量级真空度工作 团簇离子束沉积法(ICBD--Ionized Cluster Beam Deposition) 热阴极法: 与ICBD法基本相同,但不是团簇束;都在高真空工作 1.实验设备（右图） 包括： ?真空系统，电阻蒸发源 ? DC高压（几百~几千伏） ?样品台（水冷） 2.工作气压 ?低真空（10-2乇） ?氩气或相关反应气体 3.原理: ?低真空条件下，高压使基片—蒸发源间气体放电，形成等离子体 ?离子轰击基片表面，对其清洁去污，并使表面粗化 ?蒸发分子被离化、加速，定向沉积到基片表面成膜。 4.优点： （1）附着力强 （2）成膜速率快 （3）饶射成膜，可对各种形状工件镀膜 （4）节省膜料 （5）最适合金属表面镀膜 （6）设备简单 5.缺点： ?工作气压较高，膜内易含残余气体 ?离子流强，衬底 温度高，不利于塑料制品镀膜 1. 设备结构如右图 比DC法增加一个RF线圈 2. RF线圈的作用： ?延长自由电子的运动轨迹， ?增加碰撞气体和蒸发分子机会 →提高离化率 ?可使工作真空度提高一个数量级(10-3乇) 3. 优点: ?离化率比DC法高,镀膜效果更好. ?降低工作气压,即节省气体,有提高了薄膜质量. 1.设备结构: (1)高真空系统及真空计 (2)簇团束蒸发器及加热电源 (3)阴极(发射电子)及电源 (4)栅极及电源 (极性如何接?) (5)DC高压 2.特色与优点: (1)蒸发器喷出的是几百～上千原子构成的团簇. (优越性?) (2)膜层损伤小 (3)高真空镀膜 ——10-5乇以上. (什么好处?) (4)提高膜质量(致密, 杂质, 缺陷少) (5)附着好 1. 结构 采用一般电阻蒸发源 2. 特点: ?高真空镀膜(10-5乇) ?不是簇团束 ?具有ICBD法除簇团束以外的优点 ?比ICBD法设备价格低 * * 一.直流法 二.射频法 三. 离化簇团束沉积法(ICBD) 离化团束镀示意图 3.缺点: ?不能饶射成膜 ?设备成本较高 四. 热阴极法