二氧化硅薄膜材料制备技术bo[论文设计].pptx

材料制备技术;二氧化硅薄膜材料的制备;二氧化硅薄膜的性质;二氧化硅薄膜常用的制备方法;材料与制作方法的选择可以遵循下述原则： (1)波导层厚度和折射率的误差都要小，而且均匀； (2)传输损耗小，通常应在1 dB／cm以下，换言之，光学透明度好，表面凹凸小，光学散射少； (3)在晶体的情况下，纯度和光轴应符合要求； (4)强度大，与树底附着性好； (5)工艺重复性好。 方法：溶胶凝胶法(Sol—Gel)、火焰水解法(FHD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、高温热氧化(Thermal Oxidation)等多种制备方法。;溶胶凝胶法(Sol—Gel);火焰水解法(Flame Hydrolysis Deposition);等离子体增强化学气相沉积(PECVD);采用PECVD技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程： 首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物； ??二，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应： 最后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。;热氧化法(Thermal Oxidation);为了防止硅烷自燃，通常使用氮气或氩气稀释硅烷。在这些条件下生长的薄膜，具有较高的绝缘强度和相当快的生长速度。 这种方法的特点是设备简单，温度低，不生成气态有机原子团，生长速率快，膜厚容易控制；缺点是大面积均匀性差，结构较疏松，腐蚀速度较快，且气体管道中易出现硅烷氧化，形成白粉，因而沉积SiO2粉尘的污染在所难免。 热氧化跟基体的界面不明显，几乎不用担心薄膜与基体之间的剥离问题，可以获得优质、致密、厚度可精密控制的绝缘薄膜。 ;热生长氧化法，是指硅片与氧化剂(氧、水或其他含氧物质)在高温下进行反应而生长出一层二氧化硅膜的方法。 热分解沉积氧化法，是利用含硅的化合物，经过热分解反应，在基片表面按沉积一层二氧化硅膜的方法。 其他氧化法：真空蒸汽法，阴极反应溅射法，阳极氧化法等。;二氧化硅薄膜应用