多量子阱能带结构.pdfVIP

|，乙，! V0l_21No．1Mar．2000 上海海运学院学报 Journalof ShanghaiMaritimeUniversity 半导体超晶格及其量子阱的原理 阎 明 上海海运学簏基础科学部 上海 200135) o ＼ 摘 要 应用算符的方法厦通过 朗道能级的分析．得 出了二维 电子 气的能级 特性，由此通过态密度、简并度的讨论，研究 了半导体超晶格量子阱的原理厦其广 连 的 中图分类号 O471．4；O413．1 ．1 0z引1 亡言 留上竹J 半个世纪以来，半导体的研究在当代物理学和高新技术 的发展中均 占有突出的地位 。 一 这是因为半导体具有丰富的物理 内涵，而且其性能可 以置于不断发展的精湛工艺控制之下。 目前，半导体超品格和微结构为半导体技术开拓的新领域．它正有力地推进半导体研究和新 一 代高新技术的发展。 超晶格是一种新型结构 的半导体化台物，它是 由两种极薄 的不同材料的半导体单晶薄 膜周期性地交替生长的多层异质结构，每层薄膜一般含几个 以至几十个原子层，例GaAs(见 图 1)和A1As(见图2)交替叠舍而成的半导体超晶格。由于这种特殊结构，半导体超晶格中 的电子(或空穴)能量将出现新的量子化现象，以致产生许多新的物理性质。 对电子和空穴的运动来说。GaAs和 AlAs材料构成超晶格最重要的特点是能带在 口、b 界面的突变。见图3。图中 n代表宽禁带腺的材料，n层 中的电子和空穴将进人 两边的b 层，能量将处于 b材料的禁带隙内，只要 b层不是十分薄．它们将基本被反射 回去。换言 之，电子和空穴将被限制在b层 内，好像落人陷阱，这种限制 电子和空穴的特殊能带结构被 形象地称为 “量子 阱”。超晶格则是包含了许多个这样的量子阱，且阱之间能够相互作用，形 成小能带 。 在超品格量子阱中．由于电子沿量子阱生长方向的运动受到约束 则会形成一系列离散 采穰 日期：1999—06．29 闾 明(1964一 )：女．讲峄．专业方向为轴理学研究。 No．1 阎 明：半导体起晶格覆其量子阱的原理 103 I 固 2 量子能级 ；另一方面，在沿量子 阱界面 的半面 内．电子仍 - - — ～ d～ 是 自由运动的．其运动为准二维 的。二维与三维 的态密 度有本质的差别．三维运动 的态密度与 E112(E是能量) 唑 ! 坐 一 口-．-qb．-t 成正比，二维运动 的态密度是常数。对于 GaAs／AlAs界 面．由于能带的不连续性，再加上 电离杂质 的空间电荷效 ] 广_] 厂一 应，在 GaAs层靠近界面处会形成 电子 的量子 阱，杂质 电 子在阱中形成二维 电子气。超晶格量子 阱的一些重要现 象和性质 即可用二维 电子气的态密度来描述 。 1 一维谐振子及其 能级 一 维谐振子的哈密顿量算符 胄= + 1m 动量算符