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第五第五章章 扩散制作扩散制作 PN 结PN 结 第第五五章章 扩散制作扩散制作 PN PN 结结 [1] Pfann 在 1952 年提出采用扩散技术改变硅或锗的导电类型的设想 。此后，人们对如何用 扩散方法将掺杂剂引进硅中又提出种种设想，其研究目标是如何控制硅中掺杂剂的浓度、均匀 性、重复性以及大批量生产过程中如何降低成本。现在，扩散作为一项基础核心技术在半导体 元器件制造工艺中得到广泛的应用。我们可以使用下列方法将掺杂剂原子引入硅中：⑴高温下 汽相形成的化学源扩散；⑵掺杂氧化物源的扩散；⑶离子注入层的退火与扩散。离子注入层的 退火是为了激活注入原子和减少离子注入造成的晶体损伤。当退火在高温下进行时，扩散便同 时发生。在集成电路工艺中离子注入有着广泛的应用。 扩散研究的另一方面是改进由实验数据而来的扩散模型，从理论分析预测所得到的扩散 结果。最终目标是根据工艺参数来计算半导体器件的电特性。 扩散理论主要从以下两个方面发展，即 Fick 扩散方程的连续性理论和涉及到点缺陷、空 位和填隙原子以及杂质原子间相互作用的原子理论。连续性理论是根据具有适当的扩散系数的 Fick 方程的解来描述扩散现象。掺杂元素的扩散系数可以根据表面浓度、结深或浓度分布等实 验测试和 Fick 方程的解来确定。杂质浓度不高时，测得的扩散分布性能良好，并且与扩散系 数为常数的 Fick 方程相符合。在这些情况中，原子怎样运动并不知道。而当杂志浓度较高 时，扩散浓度与简单扩散理论所预言的结果有偏离，而且杂质扩散还受简单Fick 扩散定律未 考虑在内的其他因素的影响。因为扩散分布的测量揭示出扩散效应对浓度依赖性，所以高浓度 扩散须应用与浓度有关的 Fick 扩散方程。与浓度有关的扩散系数已由Boltzman—Matano 分析 或其他的解析式决定。基于缺陷—杂质相互作用的原子扩散模型用来解释与浓度有依赖关系的 扩散系数和包括快速热处理 （RTP ）、快速热扩散 （RTD ）过程的其他反常扩散所得到的实验 结果。原子扩散理论依旧处于积极的发展状态中。许多扩散理论和实验结果已经归并入各种工 艺模型中。Taurus-Process 和 TSUPREM4[3]结合了所有重要的物理模型来精确分析深亚微米 扩散现象，包括高浓度效应(High concentration effects.)，氧化增强和延缓(Oxidation enhancement and retardation) （OED and ORD ）效应，掺杂剂通过电场、配对、和发射非平 衡电缺陷交互作用(Dopant interaction through the electric field, pairing, and emitting non- equilibrium point defects.)，瞬态增强扩散(Transient enhanced diffusion) （TED ）, 位错环形 成和发展 （Dislocation loop formation and evolution），杂质在多晶硅中的扩散与晶粒尺寸的 关系 （Dopant diffusion in polysilicon with dependence on grain size ），杂质与多晶硅中晶粒 尺寸变化的关系 （Dopant dependent grain size evolution in polysilicon），氮抑制 Si/SiO2 结 Nitrogen-suppressed interstitial recombination rate at Si/SiO ），氟增强 构中带隙复合速率 （ 2 杂质在氧化层的扩散速率 （Fluorine-enhanced dopant diffusivity in the oxide），厚度 （即结 构）与氧化层中杂质扩散速率的 （Thickness (i.e. structure) dependent dopant diffusivity in the oxide ），由于工艺模型仍在发展，所以我们必须意识到模型的局限性。 5.15.1 扩散的基本原理扩散的基本原理 55.1.1 扩散的基本原理扩