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前言 化料 清除前次長晶过程在炉壁上沈積的一氧化硅层，此顆粒狀物体是引起長单晶失敗的原因之一。然后將一個全新的石英坩堝放入石墨坩堝內，再將多晶硅块及合金料放入石英坩堝裏。为減少硅块与坩堝磨擦造成的石英碎粒，放料过程需小心，挑直徑大的硅块放置堝底及堝側，合金料放置料堆中心。 * 关于拉晶炉的基础知识学习 马远，2006年1月27日 汉虹研发 内容 前言 多晶硅原料 单晶成長設备 单晶成長程序 熔液的對流攪拌 偏析 掺杂质 氧及碳含量之控制理论 固态液态介面传热与传质 硅晶圓(Silicon Wafer)材料之所以在諸多元素或化合物半导体材料中脫穎而出，成为超大型集成电路(ULSI)之基材，其原因大致可归納为以下兩項。 ? (1)硅元素乃地球表面存量豐富的元素之一，而其本身的无毒性，以及具有較寬的能階差(Bandgap)，則是早期半导体界捨鍺而转向硅的重要考虑，同時硅与氧形成一穩定的鈍态层(PassivationLayer)之二氧化硅則是集成电路重要的元件电路設計，然而在高頻需求的元件設計上，硅材料則沒有如化合物半导体、砷化鎵般的具有高电子游集成性(Electron Mobility)而受到青睞，尤其间接能階差的硅更无法提供光电元件(Optoelectronic Device)的素材，而由其他直接能階差的材料，如砷化鎵所取代。 argon flow rate could be reduced from 60 to 15 slpm in this study. 前言 6 (2) 从製造成本的考虑上，目前絕大部份的集成电路用的晶圓，均由所謂的柴氏法(即拉单晶法CzochralskiMethod)成長单晶，早在五0、六0年代曾有各種推測以浮融帶長晶法(Floating Zone Method)或直接以气相的硅化物与氫气還原而附著析出方式成長硅单晶，然而均由于生产的晶圓材料強度考虑（氧含量过低，以致于无法与硅形成固溶或析出強化機构）或生产經濟效益的无法突破，而逐步放棄這些单晶成長方法。因此以熔融固化方式的柴氏法在其不斷的理论模擬与設备及製程控制的改善上，已成为成長大尺吋晶圓的主流。 浮区法（融帶）長晶法 浮区法（融帶）長晶法 前言 三十多年來，集成电路用硅晶圓从直徑25 mm逐漸演变到今日的主流产品－200 mm硅晶圓，以致于本世紀末前，已由有半导体業界达成共識的下一世代尺寸－300mm硅晶圓。其每一種直徑之开始量产年代如图3-1所示，以200 mm直徑晶圓为例，于1988年首度投入生产，而96年正值高峰期，預計此一尺吋产品可維持至下一個世紀仍被採用，就如同目前100 mm至150 mm产品仍持續存在一般的週期。 硅晶圓材料的製造技術隨著直徑之增大而愈趨複雜，除了单晶成長的研发之外，在相备的加工成形、拋光、清洗等下游配合的製程，更由于IC業者愈趨精密及复杂的元件設計与製造之趨集成下，而需更長時间的开发与突破。 多晶硅原料 製造硅单晶之起始原料仍然是硅元素，它是从一高純度(99.999999999%)的多晶硅(Polysilicon)于石英坩鍋中加熱熔融后，以柴氏法自液相转成固相的单晶結构，同時于此製程中控制結晶方位(Orientation)、阻值及各种不純物之含量。以下將簡介多晶硅原料之製程及設备。 如前言所述，硅元素乃地球表面含量極豐富的元素，只是它乃以硅砂（二氧化硅）的狀态存于地表，自此硅砂中將硅還原出來，为製造高純度多晶硅的第一步。生产过程將硅砂、焦碳(Coke)、煤(Coal)及木屑等原料混合置于一石墨电弧沈浸(Submerged)之加熱還原炉中于1500~2000℃高溫加熱，將氧化硅還原成硅，此時硅之純度約98%左右，此一冶金提煉之硅，即稱为冶金級硅(Metallurgicalgrade Si)，此一純度之多晶尚需進一步純化，以达半导体業規格之要求。其化學反应与製程分別如下： 多晶硅原料 (1)鹽酸化(Hydrochlorination)－將冶金級的多晶块置于流床(Fluidized-bed)反应器中，通入鹽酸气以形成三氯化硅(Trichlosilane, TCS)，如下式反应： (3-1) ? ? (2) 蒸餾(Distillation)－此步驟將上式低沸點之生成产物－TCS置于蒸餾塔中，將其他不純物（以金屬鹵化狀态存在）予以部份蒸餾去除之。 (3) 分解(Discomposition)－將已蒸餾純化之TCS置于一化學气相沈積(Chemical Vapor Deposition, CVD)反应炉(Reactor)中，与氫气還原反应而析出于炉中电極上，再將此一析出之固态硅击碎成块狀的多結晶硅，此一製程沿自西門子(Simens)公司首度採用，因此業界一般泛稱此法为西門子式多晶硅製程，也是目前最廣为使用之多晶硅純化製程