微电子技术未来发展趋势及挑战(论文资料).ppt

概 述 近30年来，集成电路技术一直按照摩尔定律向前发展。集成电路工艺中的特征尺寸更小，集成密度更高，集成电路材料趋于多元化（不再仅仅是硅基、二氧化硅和铝引线等），集成的元件种类更多（各种传感器），集成的系统更为复杂、庞大，集成电路的功能更为完善和强大（一个芯片就是一个独立完整的系统--SOC），集成系统的功耗更低，成为半导体工业（微电子工业）基本发展趋势。 半导体技术应用的发展趋势 德州仪器(TI)开发商大会2012年5月26日起在中国召开。 在深圳的首场报告中，TI 首席科学家方进 (Gene Frantz) 和与会者分享了2020年半导体产业发展趋势，阐述科技将如何改变未来生活，并展示了一系列极富创意和前瞻性的崭新思想，将大众带入2020年的未来科技世界。这是半导体科技界让人充满期望的一次盛宴。 半导体技术应用的发展趋势 方进指出，随着对视讯影像、车用电子、通讯设备、工业应用及医疗电子等相关应用的需求提升，全球 DSP、微控制器和模拟元件的需求持续以惊人的速度攀升，到2020年，全球嵌入式处理器市场将拥有突破300亿美元的市场商机，模拟市场则有超过1000亿美元的市场规模。 半导体技术应用的发展趋势 绿色装置、机器人技术、医疗电子等相关应用，将成为2020年驱动市场成长的主要动力。 关于半导体科技未来发展趋势，方进认为，到2020年，集成电路 (IC) 技术将发展到非常精细的程度，在许多方面会产生革命性的变化 多核趋势及灵活的协处理器革命 并行处理带来半导体性能的疾速提升，未来 IC 产业通用性将变得极其重要，系统需要更多灵活可编程的 DSP 核，并增加优化的可编程的协处理器，以迎接未来创新应用所带来的高效严峻挑战。 低功耗节能时代到来 半导体器件功耗将达到每18个月缩减一半，这使得永续设施成为可能，某些情况下电池将被能源清除技术及能源存储单元所替代。 SiP 技术普及 未来使用尖端的叠层裸片技术 (SiP) 进行集成将与嵌入式片上系统 (SoC) 一样普遍，SiP 技术能够节省主板空间、减少组件数目，允许不同技术包集成，大大简化开发时间和成本。 “科学演进与技术创新将大大改变人类的生活方式，人类将会从全方位体验的科技革命中受益无穷。” 作为业界公认的科技创新者，TI 致力于一系列尖端科技应用的研发以提升人类生活质量，包括： 绿色装置 TI 一直致力于环境保护与全球绿色工程相关产品的研发与投入，如替代能源、高效动力产品、优化的照明方案和永续设施等。 机器人技术 机器人技术将大幅提升工业生产的自动化和人类生活的便捷化，TI在替代人类及肢体操作（如眼睛、腿臂、器官等）和人机交互直接接口方面进行探索，使科技的进步与创新更好地服务于人类的生产与日常生活。 医疗电子革命 人类对生活质量提升的诉求，推动医疗电子革命。各种自动化的医疗设备及视频装置，使人们不必亲赴医院就诊。基于TI技术研发的各种医疗成像设备、超声设备、自动延伸的心脏除颤器等手持医疗设备及远端视频装置，为人类的健康与新的医疗科技革命推波助澜。 与微电子技术相关的集成电路产业发展趋势 （1） 器件尺寸不断缩小，目前器件特征尺寸已进入纳米量级。器件尺寸继续缩小将遇到很多物理问题和技术挑战。 （2） 集成度不断提高，目前已经可以把整个电子系统或子系统集成在一个芯片里，形成集成系统芯片SOC （3） 与集成电路技术相关的新材料不断涌现，高K栅介质、低K互连介质、新型化合物半导体材料等都成为目前的研究热点。 （4） 微电子与其他学科结合诞生新的交叉学科，也是21世纪的重要发展方向，例如集成光电子学、微机械电子学（MEMS）、纳电子学等。 发展遇到的问题和挑战 器件尺寸继续缩小将遇到很多物理问题和技术挑战，为了解决这些问题和挑战，必须进行新器件、新结构、新工艺等研究。 微电子器件的特征尺寸继续缩小 第一个关键问题：超浅结形成 随着沟道的减小，会发生短沟道效应为了得到低薄层浅结，必须采用高剂量低能量离子注入技术。100nm技术所需的结深大约为20~30nm,掺杂浓度为1×1020个/cm3. Wavelength and Frequency of Electromagnetic Wave 现今以及今后的光刻光源 极度紫外光刻 Extreme UV (EUV) lithography X射线光刻 X-Ray lithography 电子束光刻 Electron beam (E-beam) lithography 随着栅长缩小至130nm以下，栅氧化层厚度减小