7.2第2节晶体三极管.pptVIP

3. 集电极最大允许电流 ICM 4. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流 IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。 5. 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC ? PCM =IC UCE 硅管允许结温约为150?C，锗管约为70?90?C。 种类 低频小功率晶体管 高频小功率晶体管 低频大功率晶体管 高频大功率晶体管 开关管 型号举例 3AX系列、 3DX系列 3AG系列、 3DG系列 3AD系歹IJ、 3DD系列 3AA系列、 3DA系歹IJ 3AK系列 3DK系列 用途 低频小功率放大 高频小功率放大 低频大功率放大 高频大功率放大 开关电路 常用晶体管的种类 作业： P149 7 9 11 12 * 鄂尔多斯煤炭技工学校 ERDOS COAL POLYTECHNIC SCHOOL 1. N型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 在N型半导体中自由电子导电为主，它主要由杂质5价P元素提供；空穴是少数载流子。 2. P型半导体 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 在P型半导体中空穴导电为主，它主要由掺杂三价硼元素形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (1) PN结加正向电压时 PN结加正向电压时的导电情况 低电阻 大的正向电流 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (2) PN结加反向电压时 PN结加反向电压时的导电情况 高电阻 很小的反向漂移电流 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 半导体二极管的结构 　　将 PN 结封装在塑料、玻璃或金属外壳里，再从 P 区和 N 区分别焊出两根引线作正、负极。 二极管的结构： (a)外形图 (b)符号 P N + - 阳极 阴极 文字符号 VD 二极管的伏安特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 第二节 晶 体 管 【学习任务】 了解晶体管的结构、参数、型号及种类， 掌握晶体管的电流放大作用， 理解晶体管的伏安特性曲线。 一、晶体管的结构 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector P P N E B C 结构示意图 晶体管是构成放大电路的核心元件。 　又称半导体三极管、晶体三极管，或简称晶体管。 NPN 型 PNP 型 E C B E C B 结构示意图及图形符号 P P N E B C N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 一、晶体管的结构 PNP型和NPN型晶体管的工作原理相同，只是工作电压极性和电流流向相反。 VT VT 常见晶体管的外形 一、晶体管的结构  二、晶体管的电流放大作用 1. 电流放大作用的条件 晶体管具有电流放大作用，要想放大电流必须给晶体管加上合适的工作电压，即发射结正偏，集电结反偏，晶体管放大电路不论采用哪种管型和哪种电路形式，都要满足这个基本条件。 三极管放大的外部条件 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 二、晶体管的电流放大作用 B E C P P N EB RB EC RC