电子线路〔线性部分〕第3章场效应管.pptVIP

第3章 场效应管 第三章 场效应管 ? 场效应管是利用电场效应来控制电流大小（电压控制电流源），与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好、噪声低。 ? 场效应管有两种:结型场效应管JFET ? 绝缘栅型场效应管MOS ? §3.1 MOS场效应管 MOS场效应管有增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两大类；每一类又有N沟道和P沟道两种导电类型。 一、增强型（EMOS）场效应管 1、结构与工作原理（N沟道） G：栅极，S：源极， D：漏极，U：衬底极（一般与S极相连接） （1）VDS=0 VGS=0（对应截止区）→VGS↑→VGS(th)（开启电压）……出 现了导电沟道（反型层） （2）0VDSVGS-VGS(th) VGSVGS(th)时，出现了ID………VGS↑→ID↑，VDS↑→ID↑ （3）由VGD=VGS-VDS，当VGD=VGS(th)时， 即VDS=VGS-VGS(th)，出现了预夹断  VGSVGS(th)，VDS≥VGS-VGS(th)……VDS↑→ID基本不变 2、伏安特性（与三极管比较） 1）场效应管的D、G、S相当于C、B、E 2）场效应管是电压控制器件，栅流基本为0。 3）场效应管利用多子导电（单极型），故受外 界影响小。 4）场效应管的D、S可互换 ? 输入特性：（转移特性） 输出特性： 1)非饱和区：VGSVGS(th)，VDS≤VGS-VGS(th) 相当于三极管的饱和区 2)饱和区：VGSVGS(th)，VDS≥VGS-VGS(th) 相当于三极管的放大区 3)截止区：VGS＜VGS(th) 4)击穿区：VGS或VDS太大 二、耗尽型场效应管（DMOS） 1、结构与工作原理 与EMOS相似，差别仅在于预先已在衬底表面扩散了一薄层与衬底相反的掺杂区，作为漏、源区之间的导电沟道。 2、伏安特性 输入特性： （转移特性） 输出特性： （与EMOS同） 四、小信号模型 电路模型： §3.2 结型场效应管 一、结构及工作原理（N沟道） P区：高掺杂 N区：低掺杂 1、VGS＝0，VDS为正电压 ID随VDS正向增长 2、VGS为负电压，VDS为正电压 VGS越负，沟道变窄，ID随VDS增长变慢 3、VGS＝VP（夹断电压），ID不随VDS变化(很小） 4、由VGD=VGD-VDS， 当VGD＝ VGS(off) ，即VDS ≥ VGS- VGS(off)时，出现了预夹断，ID也不会随VDS变化 * * 第3章 场效应管