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模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件 一、三极管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 2、输出特性 * 电子系 2010年9月 Electronic Department Sep. 2010 1.1、半导体的基础知识 1.2、半导体二极管 1.3、晶体三极管 1.4、场效应管 第一章 常用半导体器件 1.3 晶体三级管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入、输出特性 四、主要参数 五、温度对晶体管特性的影响 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ ? 三极管的结构（续） 1. 由三层半导体组成，有三个区、三个极、两个PN结。 2. 发射区掺杂浓度比集电区高得多。 基区掺杂低,且很薄。 B E C B E C 发射极E 基极B 集电极C 发射区 基区 集电区 发射结 集电结 一、三极管的结构和符号 ? 三极管的工作原理 三极管各区的作用 发射区向基区提供载流子 基区传送和控制载流子 集电区收集载流子 放大作用的外部条件 发射结加正向电压，即发射结正偏 集电结加反向电压，即集电结反偏 注意：三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压才 能起放大作用。 二、晶体管的放大原理 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运形成集电极电流IC。 少数载流子的运动 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 穿透电流 集电结反向电流 直流电流放大系数 交流电流放大系数 为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？ 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1、输入特性 β是常数吗？什么是理想三极管？什么情况下 ? 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 三极管的四种工作状态： 饱和工作状态: 发射结正偏，集电结正偏 截止工作状态：发射结反偏，集电结反偏 放大工作状态: 发射结正偏，集电结反偏 反向工作状态：发射结反偏，集电结正偏 在放大电路中，主要应用其放大工作状态。而在脉冲与数字电 路中则主要应用其饱和和截止状态。而反向工作状态，原理上讲， 此状态和放大状态没有本质区别，但由于晶 体管的实际结构 不对称，发射结比集电结小得多，起不到放大作用，故这种状 态基本不用。 1. 直流参数 共基直流电流放大系数 共射直流电流放大系数 级间反向饱和电流ICBO和ICEO 集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极， O是Open的字头，代表第三个电极E开路。 Ge管：?A量级 Si管：nA量级 四、主要参数 集电极发射极间的穿透电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 级间反向饱和电流ICBO和穿透电流ICEO 2. 交流参数 共基交流电流放大系数? 共射交流电流放大系数? 特征频率fT ? 随着频率下降为1时对应的频率。 集电极最大允许电流ICM 当集电极电流增加时，? 就要下降，当 ? 值下降到线性放大区 ? 值的2/3时所对应的最大集电极电流。 3. 极限参数 当Ic＞ICM时，并不表示三极管会损坏。只是管子的放大倍数降低。 集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= IcUcb 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用Uce取代Ucb， PCM≈IC Uce 反向击穿电压UCEO,B、UEBO,B、 UCBO,B UCEO,B 表示基极B开路时，CE之间允许施加的最大反向电压。 UCEO,B UEBO,B 表示集电极C开路时，EB之间允许施加的最大反向电压。 UEBO,B UCBO,B 表示发射极E开路时，CB之