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第3章电力电子与MATLAB应用技术xin
MATLAB应用技术 清华大学出版社 * MATLAB应用技术 * 王忠礼 段慧达 高玉峰编著 3电力电子与MATLAB应用技术 3. 电力二极管元件的仿真举例 单相半波整流器 3.1.2晶闸管 1.晶闸管工作原理 阳极、阴极、门极分别表示为A、K、g 2.晶闸管伏安特性 3.晶闸管在MATLAB中的实现 由一个电阻Ron、一个电感Lon、一个直流电压源Vf和一个开关串联组成。 开关受逻辑信号控制,该逻辑信号由电压Vak、电流Iak和门极触发信号g决定。 晶闸管仿真模型原理 晶闸管模块的图标 晶闸管元件参数设置 Resistance Ron:晶闸管元件内电阻Ron Inductance Lon :晶闸管元件内电感Lon Forward voltage Vf(V): 晶闸管元件的正向管压降Vf Initial current Ic(A):初始电流Ic Snubber resistance Rs(ohms):缓冲电阻Rs Snubber capacitance Cs(F):缓冲电容Cs 4.晶闸管仿真举例 单相半波整流器模型 Pulse的参数设置对话框 晶闸管模块设置: Ron=0.001Ω;Lon=0H;Vf=0.8V; Rs=20Ω;Cs=4e—6F; 串联RLC元件模块和接地模块到Thyristor模型 R=1Ω;L=0.01H 仿真参数: 选择ode23tb算法,将相对误差设置为1e-3 开始仿真时间设置为0,停止仿真时间设置为0.1 α=0°单相半波整流桥仿真结果 反并联续流二极管 3.1.3 可关断晶闸管 1 .可关断晶闸管工作原理 2. GTO的静态伏安特性 3. GTO在MATLAB中的实现 GTO模型由电阻Ron电感Lon、直流电压源Vf和开关串联组成, 该开关受一个逻辑信号控制,该逻辑信号又由GTO的电压Vak、电流Iak和门极触发信号(g)决定 参数设置 Resistance Ron(ohms):元件内电阻Ron Inductance Lon(H):元件内电感Lon Forward voltage Vf(v):元件的正向管压降Vf Current 10% fall time(s): 电流下降到10%的时间 Current tail time(s):电流拖尾时间Tt Initial current Ic(A):初始电流Ic Snubber resistance Rs(ohms):缓冲电阻Rs Snubber capacitance Cs(F):缓冲电容Cs, 5.可关断晶闸管元件的建模和仿真应用实例 单相半波整流器 仿真模型参数设置: 交流电压源幅值5V,频率为50HZ, LRC分支参数R=1Ω,L=0.01H,C=inf 仿真算法:ode23tb算法,相对误差1e-3 仿真开始时间为0,停止时间设置为0.1。 α=30°GTO单相半波整流器仿真结果 3.1.4 绝缘栅双极型晶体管 1.绝缘栅双极型晶体管工作原理 2.IGBT的伏安特性 3.IGBT在MATLAB中的实现 由电阻Ron、电感Lon和直流电压源Vf与逻辑信号(g0或g=0)控制的开关串联电路组成 输入C和输出E对应于绝缘栅双极型晶体管的集电极C和发射极E 输入g为加在门极上的逻辑控制信g 输出m用于测量输出向量[Iak,Vak] IGBT的参数设置 绝缘栅双极型晶体管: 内电阻Ron 电感Lon 正向管压降Vf 电流下降到10%的时间Tf 电流拖尾时间Tt 初始电流Ic 缓冲电阻Rs 缓冲电容Cs 4.IGBT构成的升压变换器建模与仿真 主要参数设置: 电压源模块Vdc= 100v; 并联RLC分支参数R=50Ω,C=3e-6F; 脉冲发生器模块周期:1e-4s; 仿真算法:ode23tb算法,相对误差1e-3, 开始仿真时间为0,停止时间为0.0015, Boost变换器仿真结果 3.2晶闸管三相桥式整流器及其仿真 3.2.1 晶闸管三相桥式整流器构成 3.2.2晶闸管三相桥式整流器的仿真模型 (1)整流桥模型 通用桥臂模块(Universal Bridge) A、B、C端子:分别为三相交流电源的相电压输入端子; Pulses端子:为触发脉冲输入端子,如果选择为电力二极管,无此端子; +、-端子:分别为整流器的输出和输入
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