GEANT4SPE质子屏蔽和半导体材料辐射效应模拟_路伟.pdfVIP

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2017-05-11 发布于浙江
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GEANT4SPE质子屏蔽和半导体材料辐射效应模拟_路伟

26 4 Vol .26,No. 4 2009 7 CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS Jul . , 2009 [ ] 1001-246X( 2009) 04-0591-06 GEANT4 SPE 1, 2 1, 3 1 4 2 路伟 , 王同权 , 王尚武 , 陈达毅, 王兴功 ( 11 , 410073; 21 , 100071; 31 7, 100085; 41 , 615000) [ ] GEANT4 1 MeV ~ 10 GeV , , . , ; Bra , Bra ; Si , , - . , ; Al , Al 10 mm , , . [ ] GEANT4; ; ; [ ] O571133 [ ] A 0 , , [ 1] . , , , [ 2] . 60 , MCNP, GEANT, TRIM . GEANT4 ( CERN) , , . GEANT4 , , , [ 3] . GEANT4 , GEANT4 , L , DESIRE, ISS , XMM-NEWTON X ; ,T. Aso GEANT4 HIBMC ; , LISA, REMSIM GEANT4 . GEANT4 Si , Al SPE . 1 111 ( 90% ~ 95%) , . . , , , . JPL91 Kin 93 ESP , CR, ME, SPENVIS [ 4, 5] , . [ ] 2007- 10- 15; [ ] 2008- 09- 23 [ ] ( 1985- ) , , , , , 20 100071. 592 26 112 GEANT4 [6] GEANT4 , . , Livermore ENSDF, EEDL, EPDL97, EADL ; . REMSIM , Wri ht ( SLAC) , , 20 MeV ENDFP B-VI G4NDL3111 . G4LElastic ( ) ; Bertini( 1919 MeV ~ 919 GeV) , LEP( 915 GeV~ 25 GeV) QGSP( 15 GeV~ 3 100 TeV) ; He, AG4BinaryLi htIonReaction; 3 G4hIonisation, He,AG4ionIonisation. 2 Si , , - , [ 7] . 211 , . D , (LET) . , , . GEANT4, 1MeV~ 10 GeV Al LET , NIST PSTAR( ICRU49) [ 8] . , , ; G4MultipleScatterin , G4hIonization G4LElastic . LET , . 1, 2 GEANT4 Al LET , ,