CdF_2半导体中表面磁极化子的性质.pdfVIP

　第 20 卷第 6 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 6　 V o l N o 　1999 年 6 月　　　　　　 　　　　　　 , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S June CdF2 半导体中表面磁极化子的性质 肖景林　额尔敦朝鲁　张　鹏 ( 内蒙古民族师院物理系　通辽　028043) ( 中国科学院激发态物理开放实验室　长春　130021) 摘要　 本文讨论电子和表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱时对 CdF2 半导体表面 磁极化子性质的影响. 采用线性组合算符法和微扰法导出了 CdF2 半导体中表面磁极化子的 有效哈密顿量. 在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时, 讨论 了对CdF2 半导体中表面磁极化子性质的的影响. 对 CdF2 半导体进行数值计算, 结果表明, 半导体中表面磁极化子的振动频率 和诱生势 s 随坐标 的增加而减小, 随磁场 的 CdF2 V i z B 增加而增加; 诱生势 b 随坐标 的增加而增加, 但与外磁场 无关; 有效势 随坐标 和磁 V i z B V eff z 场 的增加而增加; 当 3 时, 声子之间相互作用的影响 随坐标 的增加而增加, 当 B z nm z z 3nm 时, 随z 的增加而缓慢减小. PACC: 7138, 7320 1　引言 表面磁极化子因其在磁光技术中的重要作用而引起国内外学者的广泛重视. 在表面磁 极化子的研究工作中, 人们不仅考虑电子与体纵光学(LO ) 声子相互作用, 还包括电子与表 ( ) ( ) [ 1 ] 面光学 SO 或界面光学 IO 声子相互作用. L arsen 采用了一种新颖的四级微扰法 计算了 [ 2 ] 磁场中二维极化子的基态能量. 顾世洧等 用这种方法研究了在半导体量子阱中的磁极化 [ 3 ] 子. 稍后 等 最先报道了在 量子阱结构中共振施主杂质磁极化 O so rio GaA