项目一常用半导体元器件任务一半导体基本知识2016—3—7.pptVIP

一、晶体管的结构和符号 1．结构和符号 晶体三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把两块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，三个区引出相应的电极，分别为基极b、发射极e、集电极c。在电路中常用 “V、VT 或 Q” 加数字表示，三极管具有电流放大作用。 晶体管的图形符号如图6-7b所示，符号中的箭头方向表示发射极及发射结正向偏置时的电流方向。 2．晶体管三极管外形 图6-8 几种常见的晶体管的外形结构 三极管分类 (1)按材料分类 　三极管按材料可分为：硅三极管、锗三极管。 (2)按导电类型分类 　三极管按导电类型可分为：PNP 型和 NPN 型。 锗三极管多为 PNP 型，硅三极管多为 NPN 型。 (3)按用途分类 　按工作频率分为：高频管 f 3 MHz、 低频管 f 3 MHz和开关三极管。 按功率又分为：大功率 Pc 1 W、 中功率 Pc 在0.5～1 W、 小功率 Pc 0．5 W 三极管。 二、晶体管三极管的电流分配和放大作用 1．晶体管的工作电压 三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正向偏置、集电结反向偏置。晶体管有PNP 型和 NPN 型，为保证其外部条件，两类晶体管工作时外加电源的极性是不同的。 图6-9 晶体管的工作电压 NPN PNP 三极管放大电路各元器件的作用 图中电源 UCC 通过偏置电阻 Rb 为发射结提供正向偏置电压，进而产生基极电流， RC 为集电极负载电阻，电源通过它为集电极提供电流，三极管 V 起电流的放大作用。 NPN 型三极管放大电路 PNP 型三极管放大电路 图6-10 晶体管电流的实验电路 2．晶体管各个电极的电流分配 实验电路如图6-10所示。此电路称为晶体管的共发射极放大电路。晶体管各个电极的电流分配及它们之间关系： 4.05 3.18 2.36 1.54 0.72 0.01 /mA 3.95 3.10 2.30 1.50 0.70 0.01 /mA 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0 /mA 表6-1 晶体管电流测量数据 从表6-1中的实验数据可以找出晶体管各极电流分配关系 （6-1） 调节电位器RP，则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE都发生变化，电流方向如图。 3．晶体管的电流放大作用 从表6-1中的实验数据还可以看出： ，而且当调节电位器RP使 有一微小变化时，会引起 较大的变化，这表明基极电流 （小电流）控制着集电极电流 （大电流），所以晶体管是一个电流控制器件，这种现象称为晶体管的电流放大作用。 三、晶体管的特性曲线 1．输入特性曲线射（反映三极管的导通） 当集射电压UCE为某一 常数时，输入回路的基射 电压UBE与基极电流IB之间 的关系曲线。 （1） UCE=0时，C、E间 短接。 （2） UCE增大时，输入特 性曲线右移。 三极管的导通时，锗管0.2-0.3V 硅管0.5-0.7V 图6-11 输入特性曲线 2. 输出特性曲线 输出特性曲线是在基极电流 IB 一定的情况下，三极管输出回路中集射电压 UCE与集电极电流 IC 之间关系。 输出特性曲线反映 三极管输出回路中的三种 工作状态，截止状态、放 大状态、饱和状态。 （1）截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。 发射结零偏或反偏，集电结也反向偏置 （2）放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处于放大状态。 （3）饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于