化学气相沉积的过程监测.pdfVIP

维普资讯 学兔兔 化 工 进 展 2008年第27卷第6期 CHEMICAL INDUSTRY AND ENGINEERING PROGRESS ·849· 化学气相沉积的过程监测 李 晖 ，一，左 然 ( 江苏大学能源与动力工程学院，江苏 镇江 2120131 集美大学机械工程学院，福建 厦门 361021) 摘 要：介绍了化学气相沉积 (CVD)过程监测的内容。根据CVD过程的特点和薄膜生长的要求，在CVD中需 要被实时监测的主要过程参数是温度、化学物种和流体流动。对现有监测方法的原理和优缺点进行分析对比。重 点介绍了常用监测方法以及原位实验监测的研究进展。 关键词：化学气相沉积；过程监测；温度；化学物种；流体流动 中图分类号：TB 43；TN 304 文献标识码：A 文章编号：1000—6613(2008)06—0849—08 Process monitoring and measurement of chemical vapor deposition ， ZUOR ，z ( School of Energy and Power Engineering，Jiangsu University，Zhenjiang 212013，Jiangsu，China~ School of Mechanical Engineering，Jimei University，Xiamen 361021，Fujian，China) Abstract：Based on the characteristics of CVD process and the requirements for film growth， temperature，chemical species and fluid flow are considered as the most important process parameters to be monitored and measured．Various CVD process monitoring methods used at present are summarized． These methods are summarized in tables together with a brief description of their principles，and the advantages and disadvantages of each method．Emphases are given to currently prevalent methods．The progress on in—situ monitoring and measurement of the CVD process is introduced． Key words：chemical vapor deposition；process monitoring and measurement；temperature；chemical species；fluid flow 化学气相沉积，简称 CVD(chemical vapor CVD薄膜沉积过程非常复杂，包括了热力学、 deposition)，可生长单晶、多晶和非晶薄膜，广泛用 化学反应动力学和传热传质等多种作用。为了理解