第3章 光生伏特器.pptVIP

主 要 内 容 3.1 硅光电二极管:工作原理、基本特性。 3.1 硅光电二极管 2、电流方程 3.1.2 光电二极管的基本特性 2. 光谱响应 3. 时间响应 4. 噪声 3.2 其他光生伏特器件 3.2.1 PIN型光电二极管 2.工作原理 3.噪声 3.2.3 硅光电池 1. 基本结构 3.硅光电池的输出功率 4.光电池的光电转换效率 3.2.4 光电三极管 1.工作原理 2. 光电三极管特性 2）时间响应（频率特性） 3）温度特性 4）光谱响应 如图3-13所示为三种形式的集成光电器件。图3-13 (a)所示为光电二极管与三极管集成而构成的集成光电器件，它比图3-12(c)所示的光电三极管具有更大的动态范围，因为光电二极管的反向偏置电压不受三极管集电结电压的控制。图3-13(b)所示的电路为图3-12(c)所示的光电三极管与三极管集成构成的集成光电器件，它具有更高的电流增益（灵敏度更高）。 1）伏安特性 图3-14所示为硅光电三极管在不同光照下的伏安特性曲线。光电三极管在偏置电压为零时，无论光照度有多强，集电极电流都为零。偏置电压要保证光电三极管的发射结处于正向偏置，而集电结处于反向偏置。随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。 光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外，还具有电流增益β，并且，β值随光电流的增大而增大。 光电三极管的时间响应常与PN结的结构及偏置电路等参数有关。图3-15（a）所示为光电三极管的输出电路，图3-15（b）为其微变等效电路。 分析等效电路图，不难看出，由电流源Ip、基-射结电阻rbe、电容Cbe和基-集结电容Cbc构成的部分等效电路为光电二极管的等效电路。 光电三极管的等效电路是在光电二极管的等效电路基础上增加了电流源Ic和基射结电阻Rce、电容Cce、输出负载电阻RL。 光电三极管的时间响应由以下四部分组成： ① 光生载流子对发射结电容Cbe和集电结电容Cbc的充放电时间；② 光生载流子渡越基区所需要的时间； ③ 光生载流子被收集到集电极的时间； ④ 输出电路的等效负载电阻RL与等效电容Cce所构成的RC时间； 总时间常数为上述四项和。因此，光电三极管的响应时间比光电二极管的响应时间要长得多。 要改善光电三极管的频率响应，由等效电路知应尽可能减小rbeCbe和RLCce的时间常数。 在工艺上设法减小结电容；选择合理的负载电阻。 硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流Id和光电流IL均随温度而变化，由于硅光电三极管具有电流放大功能，所以硅光电三极管的暗电流Id和光电流IL受温度的影响要比硅光电二极管大得多，图3-17（a）所示为光电二极管与三极管暗电流Id与温度的关系曲线，随着温度的升高暗电流增长很快； 图3-17（b）所示为光电二极管与三极管亮电流IL与温度的关系曲线，光电三极管亮电流IL随温度的变化比光电二极管亮电流IL随温度的变化快。 * 第3章 光生伏特器件 光生伏特器件:利用光生伏特效应工作的光电敏感器件。 光生伏特效应是少数载流子导电的光电效应，在性能上与光敏电阻有很大差异。 光生伏特器件特点：暗电流小、噪声低、响应速度快、 光电特性的线性好、受温度的影响小等。 具有光生伏特效应的半导体材料有很多，例如硅（Si）、锗（Ge）、硒（Se）、砷化镓（GaAs）等。其中硅器件具有制造工艺简单、成本低等特点成为目前应用最广泛的光生伏特器件。 光生伏特器件的种类: 光电二极管、PIN型光电二极管、 雪崩光电二极管、硅光电池、光电三极管，等等。 3.2 其他光生伏特器件：PIN型光电二极管、 雪崩光电二极管、硅光电池、光电三极管等。 3.3 光生伏特器件的偏置电路：反向偏置、零伏偏置。 3.4 半导体光电器件的特性及参数选择：比较不同光电器件的特性参数、选择应用的技巧和方法。 1、基本结构 光电二极管可分为以P型硅为衬底的2DU型与以N型硅为衬底的2CU型两种结构形式。如图3-1（a）所示的为2DU型光电二极管的原理结构图。 图3-1(b)为光电二极管的工作原理图 。 图3-1(c)为光电二极管的电路符号。小箭头表示正向电流的方向，光电流的方向与之相反。图中的前极为光照面，后极为背光面。 3.1.1 硅光电二极管的工作原理 在无辐射作用的情况下，PN结硅光电二极管的正、反向特性与普通PN结二极管的特性一样，如图3-2所示。其电流方程为 （3-1） 正向导通，反向截止。 ID为U取负值（反向偏