指数掺杂结构对透射式GaAs光电阴极量子效率的影响研究.pdfVIP

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2017-05-12 发布于浙江
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指数掺杂结构对透射式GaAs光电阴极量子效率的影响研究.pdf

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指数掺杂结构对透射式GaAs光电阴极量子效率的影响研究

物理学报 Acta Phys． Sin． Vol． 60 ，No． 6 (2011) 067301 指数掺杂结构对透射式GaAs 光电阴极量子效率的影响研究* 张益军牛军赵静邹继军常本康 ( ， 2 10094 ) 南京理工大学电子工程与光电技术学院南京 (20 10 7 9 ;20 10 9 23 ) 年月日收到年月日收到修改稿， GaAs 通过在一维连续性方程光电子产生函数项中加入短波约束因子修正了指数掺杂和均匀掺杂透射式光．电阴极量子效率公式利用修正的透射式阴极量子效率公式分别拟合制备的指数掺杂和均匀掺杂透射式阴极量子，．，，效率实验曲线符合得很好另外拟合得到的阴极性能参数表明由于内建电场的作用指数掺杂阴极的性能要好，．于均匀掺杂阴极指数掺杂结构能够明显提高透射式阴极的量子效率 : ，，，关键词透射式光电阴极指数掺杂量子效率内建电场 PACS :73. 6 1. Ey ，79. 60. Bm ，7 1. 20. Mq ［10 ，11］结构．，这种结构采用变浓度掺杂方法即发射 1. 引言层材料体内到发射表面掺杂浓度由高到低掺杂，不同掺杂浓度区域交界处将产生一个内建电场，负电子亲和势 GaAs 光电阴极由于其量子效，该电场有利于受激发电子向表面运动提高阴极、、． GaAs 率高暗发射小发射电子能量和角度分布集中等的量子效率这在反射式光电阴极应用中得，．优点在微光夜视器件和自旋极化电子源等领域到了证实为了弄清变浓度掺杂结构对透射式阴［1— 4］获得了广泛的应用．光电阴极按照工作方式