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2017-05-12 发布于浙江
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磷化铟晶体材料的应用进展研究

DOI: 10. 13250 /j .cnki .wndz. 1998.04.001 35　 4 半　导　体　情　报 V ol. 35, No. 4 1998 8 　　　　　　　　SEM ICONDU CTO R IN FORM ATION　　　　　　　　　 Aug. 1998 　　孙聂枫　陈旭东　赵有文　杨光耀　刘思林　孙同年 (河北半导体研究所, 石家庄　050051) 　回顾了化铟 (InP) 晶体材料的发展过程 , 介绍了化铟材料的多种用途和优越特性, 展望了化铟材料在我国的发展前景。　化铟　砷化镓　硅　晶体　材料　器件 Investigation on progress of InP Crystal in Application Sun Niefeng, Chen Xudong, Zhao Youwen, Yang uangyao, Liu Silin, Sun Tongnian (H ebei Semiconduc tor R esearch Inst itu te , Shij iaz huang 050051) Abstract　This paper looks back the developing process on the bulk InPcrystals, intro- duces various uses and superior character of the InPmaterials, and predicts thefuture of the InP materials in our country. Keywords　InP　 aAs　Si　Crystal　Materia　l Device 。 1　引　言 , Ⅴ (InP)Ⅲ -Ⅴ , e、 Si。 50 , 、 , ( )、 Si aAs HB 。、 ( F) , aAs、 InP, 。。 1962 Metz 1952 WelkerⅢⅤ (LEC) , 1965 , ～ 1968 Mullin 、、 ( 2 3) , 、 aAs InP e Si B O LEC aAs InP (、) , , 、 Ⅲ -Ⅴ , , InP : 1998- 03- 16 2 半导体情报　　　　　　　 35　 4　1998 8 。 InP 1335±7K, , InP。 27. 5 , , 。 atm InP , , 90,