金属掺杂对ZnO压敏电阻的影响精要.docxVIP

 PAGE - 2 - 华中科技大学电子科学与技术系 电子器件制备工艺课程设计（论文） 固相法制备压敏电阻(ZnO) 班 级: 电子1307 学 号: U201314003 姓 名: 仲世豪 专 业: 电子科学与技术 指导老师: 邱亚琴 二零一 五 年  电子器件制备工艺课程设计（论文） 电子器件制备工艺课程设计（论文） 摘 要 本文以金属离子盐为原料, 采用400r/min转速球磨机球磨成掺杂ZnO前驱物, 将其在700℃下预烧2小时, 得到掺杂ZnO粉体, 并用此粉体制备了片式ZnO压敏电阻。借助压敏电阻特性测量仪对片式压敏电阻的正、反向压敏电压，正、反向非线性系数，正、反向漏电流等进行了测量。研究了不同掺杂浓度对ZnO压敏电阻电性能的影响。结果表明,金属掺杂在百分之零点八时，ZnO压敏的电阻的各项性能达到最佳。 关键词：掺杂ZnO粉体；烧结温度；压敏电阻 Abstract In this paper, by using metal ion salts as raw materials, which was milled at 400r / min speed ,doping into ZnO precursor, then calcined for 2 hours at 700 ℃, to get doped ZnO powder. And the powder was at last used to produce chip ZnO varistors. With the varistor characteristic measurement instrument, the positive and negative varistor voltage, positive and negative non-linear coefficient, forward and reverse leakage current were measured. We studied the effect of doped ZnO powder on the electrical properties of ZnO varistors. The results showed that when the doping content is 0.8％, the properties of ZnO varistor can be the best. Keywords:?doped?ZnO?powder;?sintering?temperature;?varistor 目 录  TOC \o 1-3 \h \z \u  HYPERLINK \l _Toc214816193 摘 要  PAGEREF _Toc214816193 \h 2  HYPERLINK \l _Toc214816194 Abstract  PAGEREF _Toc214816194 \h 2  HYPERLINK \l _Toc214816195 第1章 绪 论  PAGEREF _Toc214816195 \h 4 -8  HYPERLINK \l _Toc214816196 1.1概述及发展现状  PAGEREF _Toc214816196 \h 4 -5  HYPERLINK \l _Toc214816197 1.2理论依据及本论文的主要方法  PAGEREF _Toc214816197 \h 5 -8  HYPERLINK \l _Toc214816200 第2章 实验部分 8-9  HYPERLINK \l _Toc214816201 2.1实验工艺与过程 8-9  HYPERLINK \l _Toc214816202 2.1.1称量  PAGEREF _Toc214816202 \h 8  HYPERLINK \l _Toc214816202 2.1.2球磨、烘干过筛、预烧  PAGEREF _Toc214816202 \h 8  HYPERLINK \l _Toc214816202 2.1.3球磨、烘干、粉碎造粒  PAGEREF _Toc214816202 \h