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电子学I课本习题解答.doc
第2章 二極體
二 隨堂練習
2-1 本質半導體
( C ) 1. 純矽在絕對零度(0K)時,沒有禁帶,其性能如同 (A)導體 (B)半導體 (C)絕緣體 (D)以上皆非。
2-2 P型及N型半導體
( A ) 2. 經雜質摻雜後的鍺晶片,每108個鍺原子就有1個銻原子,則室溫下,此晶片每立方厘米中含有的自由電子數目為多少? (A)4.4×1014 (B)3.0×1010 (C)1.0×108 (D)2.25×1012 個。
:電子數目==4.4×1014個
( A ) 3. 在本質半導體中,摻入下列何項雜質元素,即可成為N型半導體? (A)磷 (B)硼 (C)鋁 (D)銦。
2-3 P-N接面二極體
( A ) 4. 二極體的空乏區,隨著逆偏電壓的增加而產生何種變化? (A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)先減後增。
2-4 二極體之特性曲線
( B ) 5. 假設一鍺二極體,在常溫25℃時的順向電壓降為0.3V,試計算溫度升高至65℃時之順向電壓值為 (A)0.28 (B)0.26 (C)0.24
(D)0.22 V。
:VD(65℃)=VD(25℃)+(-1mV/℃)×(65℃-25℃)
=0.3V-40mV=0.3V-0.04V=0.26V
( A ) 6. 有一PN二極體的逆向飽和電流於300K時為1μA,於350K時IS應為 (A)32 (B)50 (C)64 (D)100 μA。
:IS(350K)=IS(300K)×=1μA×
=1μA×25=32μA
( C ) 7. 某一二極體在操作點處的電壓和電流分別為VQ=1V,IQ=9.5mA,試求其直流電阻為多少歐姆? (A)92.5 (B)97.4 (C)105.3
(D)110.6 Ω。
:Rdc==≒105.3Ω
( D ) 8. 有一二極體,其電流是2mA,試求室溫時之交流電阻為多少歐姆? (A)104 (B)52 (C)26 (D)13 Ω。
:rd==13Ω
2-5 二極體之偏壓
( B ) 9. 在PN二極體中,較容易產生電子流的方向是 (A)由P型至N型區 (B)由N型至P型區 (C)兩方向都很容易 (D)兩方向都很難。
2-6 二極體之等效電路模型
( B ) 10. 圖2-23中,若將二極體D反接,則在電阻R2上的電壓和電流分別為
(A)0V,0mA (B)6V,3mA
(C)6V,5mA (D)15V,5mA。
:∵ 二極體因逆向而截流,形同開路
∴ VR2=15V×=6V
IR2==3mA
( C ) 11. 如圖2-27所示之矽二極體之電路,應用定值電壓模型來分析,試求負載電阻RL兩端之輸出電壓Vo為多少V? (A)4.30 (B)3.75 (C)2.15 (D)1.45 V。
:Vo=(5V-0.7V)×
=4.3V×=2.15V
( D ) 12. 應用簡化二極體,片斷線性模型法(假設Vo=0.7V,rac=20Ω),求圖2-25(即範例11電路)之I與V值分別為多少? (A)1.25mA,0.85V (B)1.25mA,0.74V (C)2.13mA,0.85V (D)2.13mA,0.74V。
:如圖所示:
I==2.13mA
V=Vo+I.rac
=0.7V+2.13mA×20Ω
≒0.74V
2-7 稽納二極體
( C ) 13. 若8V稽納二極體具有0.085%/℃的正溫度係數,則100℃時的稽納電壓為 (A)7.54 (B)8.01 (C)8.51 (D)8.74 V。
:ΔVZ=(T1-T0)=×(100-25)=0.51V
100℃時的稽納電壓為:VZ+ΔVZ=8+0.51=8.51V
( A ) 14. 如圖2-37所示之電路,通過RS之電流為若干? (A)20 (B)15 (C)10 (D)5 mA。
:VRL=10V×
=9.09V
∵ VRL>VZ ∴ 稽納二極體崩潰
IRS===0.02A=20mA
2-8 發光二極體
( C ) 15. 發光二極體(LED)的發光度與 (A)逆向偏壓成正比 (B)逆向偏壓成反比 (C)順向電流成正比 (D)順向電流成反比。
三 自我評量
一、選擇題
( D ) 1. 對一處於絕對零度(0K)之本質半導體,在此本質半導體之兩端加一電壓;若此本質半導體並未發生崩潰,則在本質半導體內 (A)有電子流,也有電洞流 (B)有電子流,但沒有電洞流 (C)沒有電子流,但有電洞流 (D)沒有電子流,也沒有電洞流。
:在0K之本質半導體如同絕緣體,它沒有電子流,也沒有電洞流。
( A ) 2. 將(磷)
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