堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的计算模型.pdfVIP

堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的计算模型 第六图书馆 采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应,建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧 穿模型。利用该模型数值,研究了Si2N4/SiO2、Al2O3/SiO2、HfO2/SiO2和La2O3/SiO2四种堆叠栅介质结构MOS器件的栅极漏 电流随栅极电压和等效氧化层厚度变化的关系。依据计算结果,讨论了堆叠栅介质MOS器件按比例缩小的前景。采用顺序隧穿 理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应,建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用 该模型数值,研究了Si2N4/SiO2、Al2O3/SiO2、HfO2/SiO2和La2O3/SiO2四种堆叠栅介质结构MOS器件的栅极漏电流随栅极电 压和等效氧化层厚度变化的关系。依据计算结果,讨论了堆叠栅介质MOS器件按比例缩小的前景。直接隧穿 顺序隧穿 高 介电常数栅介质 MOS器件微电子学杨红官 朱家俊 喻彪 戴大康 曾云湖南大学物理与微电子科学学院,长沙 4100822007第六图书馆 第六图书馆 第 37卷第 5期 微 电 子 学 Vo1．37。No．5 2007年 1O月 MZcroelectronics 0ct．2007 堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的计算模型 杨红官，朱家俊，喻 彪，戴大康，曾 云 (湖南大学 物理与微电子科学学院，长沙 410082) 摘 要：采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应，建立了高介电常数堆 叠栅介质MOs器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用该模型数值，研究了si。N ／sioz、A1z03／ siOz、Hf02／sio2和La2O3／SiO2四种堆叠栅介质结构MOs器件的栅极漏电流随栅极电压和等效 氧化层厚度变化的关系。依据计算结果，讨论了堆叠栅介质MOS器件按比例缩小的前景。 关键词： 直接隧穿；顺序隧穿；高介电常数栅介质；MOs器件 中图分类号：TN386．1 文献标识码： A 文章编号：1004—3365(2007)05—0636—04 Calculation ofGateLeakageCurrentsinM OSTransistors withGate-StackedDielectrics YANGHong-guan，ZHU Jia-jun，YUBiao，DAIDa—kang，ZENGYun (CollegeofPhysicsandMicroelectronics，HunanUniversity，Changsha410082，P．R．China) Abstract： A sequentialtunnelingmodelwasproposedtOcalculatedirecttunnelinggatecurrentsthroughmetal— oxidesemiconductortransistors(M0STs)withhigh-k／Si02gatedielectrics，using Bardeen’StransferHamiltonian formalism andwithquantum mechanicaleffectininversionlayerstakenintoconsideration．Gateleakagecurrentsin 第六图书馆 fourMOSTswithdifferentgatestackdielectrics(Si3N4／si02，Alz03／si02，HfOz／sio~andLaz03／SiOz)VS．gate voltagesandequivalentoxidethicknesswereinvestigatednumerically．Scaling downofMOSTswi