复旦大学微电子学系半导体物理学习题答案2.pdfVIP

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2017-05-13 发布于广东
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复旦大学微电子学系半导体物理学习题答案2.pdf

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复旦大学微电子学系半导体物理学习题答案2.pdf

P338。1，6 1）试计算本征Si在室温下的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/v.s和 500cm2/v.s, 当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。比本征的Si 的电导率增大了多少倍？ 2 ）设电子迁移率为0.1m2/v.s, Si 的电导有效质量mc=0.26m0,加以强度为104V/m的电场，试求平均自由时间和平均自由程。 3 ）分别计算掺有下列杂质的Si，在室温时的载流子浓度、迁移率和电阻率。（1）3X1015硼原子cm-3; (2) 1.3X1016硼原子cm-3+1.0X1016硼原子cm-3; (3) 1.3X1016硼原子cm-3+1.0X1017镓原子cm-3+ 1.0X1017 砷原子cm-3 4)试证Ge 的电导有效质量为习题5 (Due May 4) • 第4章后习题2，6，16, 20； • 第12章后习题1, 6.