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大功率半导体激光器封装技术发展趋势及面临的挑战 刘兴胜，杨林，张艳春 (西安炬光科技有限公司，陕西 西安，710119) 本文综述了现有高功率半导体激光器 （其中包括单发射腔，bar 条，水平阵列和垂直叠 阵）的封装技术，并讨论其发展趋势。分析半导体激光器封装技术存在的问题和面临的挑战， 并给出解决问题和迎接挑战的方法和策略。 高功率半导体激光器及其泵 高亮度、无铟化封装、窄光谱和低 大量热量，使腔内的温度显著上升。 浦固体激光器具有体积小、重量 “smile”效应。本文综述了现有高 为了避免Thermal Rollover 现象产 轻、光电转换效率高、性能稳定、 功率半导体激光器的封装技术，并 生，应尽量降低器件的热阻。增加 可靠性高、和寿命长等优点，已经 讨论了其发展趋势。随着半导体激 腔长和增大发光区宽度能够明显的 成为光电行业中最有发展前途的 光器的发展，半导体激光器封装技 降低热阻，因而单发射腔半导体激 产品，被广泛应用于工业、军事、 术目前存在的具体问题和面临的挑 光器的腔长越长，其输出功率越高。 医疗和直接的材料处理等领域。组 战，本文给出解决问题和迎接挑战 随着COMD 和Thermal Rollover 现 成大功率半导体激光器的基本单 的方法和策略。 象的改善，输出功率为5-8W，波长 元是单发射腔或者单阵列（单阵列 λ =808nm 和输出功率为8-12W ，波 高输出功率 由多个单发射腔线性排列而成）。 长 λ =9