集成CMOS温度传感器设计、实现和测试.pdfVIP

第23卷 第 1期 传 感 技 术 学 报 Vol_23 No．1 2010年 1月 CHINESEJOURNALOFSENSORSANDACTUA_r0RS Jan．2010 AchievementandTestontheIntegratedCM OSTemperatureSensor CAOXinliang ，YUNingmei ，WEIQinxiao ，1．SchoolofautomationInformatoinEngineering，Xi’anUniversityofTechnology，Xi’nn710048，China；、 ＼2．SchoolofPhysicsandElectronics，rmatoin，Yah’anf／兀 ，Yah’an716000，China ／ Abstract：AnintegratedtemperaturesensorcompatiblewithgeneralCMOSprocessisdesignedbasedontherelation- shipbetweenthresholdvoltageandcarriermobilityinMOStransistorwhentemperaturechanges．Using0．35pjnfile ofchartered，thecircuitdiargam andlayoutofthistemperaturesensoraredesignedbyCadence；simulationisdone withCadenceSpectre．Afterbeingtapped—outandtested，thecomparisonresultsbetweentestingandsimulationshow thattheoutputfrequency’Srangeofvariationis10．19～5．81MHzwhen thetemperaturechangesbetween25℃ ～ 105~C，andthereisagoodlinearity．Thistemperaturesensorisofrgeatsignificanceforon-chip system temperature monitoring，thermalalarm andoscillatorfrequencydrift compensation． Keywords：CMOS；temperaturesensor；frequency；test；analysis EEACC：2560：1265A：2570D 集成 CMOS温度传感器设计、实现和测试 曹新亮 ，余宁梅 ，卫秦啸 (1．西安理工大学 自动化学院，西安 710048；2．延安大学物理与电子信息学院，陕西 延安 716000) 摘 要：基于MOS管的阈值电压和载流子迁移率随温度的变化关系，设计了一种与CMOS工艺兼容的集成温度传感器。该 温度传感器选用charted0．35 m工艺库，以Cadence进行电路图、版图设计，并以CadenceSpectre工具进行仿真，最后经流 片、测试，实测与仿真对比结果显示：温度在25～105oC之间变化时，输出频率的变化范围为 10．19～5．81MHz，且有较好的线 性。此传感器对片上系统温度的监测、过热报警和振荡器频率漂移的补偿等均有重要的意义。 关键词 ：互补对称金属一氧化物半导体 ；温度传感器；频率 ；测试；分析 中图分类号：TN47 文献标识码 ：A 文章编号：1004—1699(2010)01—0038-05 随着集成电路工艺技术的进步和便携式移动电 的策略得到设计者的普遍重视。有用NMOSEFY串 子产品的空前需求，片上电路系统发展不断趋 向高 联分压来体现阈值电压变化来设计张弛振荡型温度 频化 、高集成度化 ，这就加快了芯片温度 的提升 ，温 传感器 J，但这种结构容易引起两个转折电压的同向 度变化对芯片性能有着很大影响。集成电路特性受 漂移，因而影响到感测的灵敏度 ；也有基于施密特触 温度影响的研究…以及在片感测温度 的技