7、半导体存储器分解.ppt

只读存储器 一、特点：ROM一般由专用的装置写入数据，数据一旦写入，不能随意改写，在切断电源之后，数据也不会消失，即具有非易失性。 二、分类： 1、按制造工艺分：二极管ROM、双极型ROM、MOS 型ROM三种。 2、按存入方式分：固定ROM （或掩模ROM）和可编程ROM。 3、可编程ROM细分：一次可编程ROM(PROM)；光可擦出可编程ROM(EPROM)；电可擦出可编程ROM(E2PROM);闪烁存储器（Flash Memory)等。 三、ROM的基本结构： 1）存储器组成：存储阵列，地址译码器和输出控制电路。它有3类信号线：地址线、数据线和控制线。 2）存储阵列： 由许多存储单元组成，每个存储单元存放1位二值数据。 3）地址译码： A、地址：通常ROM以字为单位进行数据的读出（每次读出一个字），为了区别各个不同的字，将存放同一个字的存储单元编为一组，并赋于一个号码，称为地址。字单元也称为地址单元。 B、地址单元的个数N与二进制地址码的位数n满足关系式：N=2n. 4）输出控制电路： 一般包含三态缓冲器，以便与系统的数据总线连接。当由数据读出时，可以有足够的能力驱动数据总线；而没有数据输出时，输出高阻态不会对数据总线产生影响。 四、存储数据的基本原理 1、固定ROM（掩模ROM）：这种ROM在制造时，生产厂家利用掩模技术把数据写入存储器，数据固定不变。 2线—4线 A1 A0 译码器 Y0 Y1 Y2 Y3 R R R R +5V D3 D2 D1 D0 A1 A0 OE 位线 字线 存储阵列 输出控制电路 有管相当于该存储单元存有1值，否则为0值 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 高阻 0 0 0 1 0 1 1 × × 0 0 0 0 1 内 容 D3 D2 D1 D0 地 址 A1 A0 输出使能控制 OE 存储器的容量：字数×字长 如：一个容量为256×4位的存储器，有256个字，字长为4位，总共有256×4=1024个存储单元 1K=210=1024 1M=220=1024K 1G=230=1024M 由NMOS管构成的28×1位的存储器 分析：当A7A6A5A4A3A2A1A0,Y1输出高电平，栅极与Y1相连的NMOS管导通,据数据选择器功能，D选择I1信号输出。 4线—16线译码器 +VDD A3 A2 A1 A0 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Y0 Y1 Y14 Y15 I0 I1 I14 I15 S0 S1 S2 S3 Y D … … R R R R … … … … … … … … 16线—1 线数据选择器 交叉处有MOS管为0值，否则为1值 2、PROM：出厂时，存储内容全为1（或者全为0），用户可根据需要，利用通用或专用编程器，将某些单元改写为0（或1)，只能改写一次。 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 2线—4线译码器 A1 A0 D3 D2 D1 D0 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 2线—4线译码器 A1 A0 D3 D2 D1 D0 编程前的PROM 编程后的PROM 熔丝连通代表1 熔丝断开代表0 PROM结构示意图 编程前存储信息 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 0 0 1 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 编程后存储信息 编程前逻辑表达式 编程后逻辑表达式 3、EPROM：存储阵列由SIMOS管构成，其数据写入需要通用或专用的编程器。EPROM芯片的封装外壳装有透明的石英盖板，用紫外线或X射线照射15~20min，便可擦出其全部内容。擦出后可重新写入数据。 4、E2PROM:存储阵列由Flotox MOS管构成，改写是以字为单位进行的，大多数E2PROM芯片内部都备有升压电路，故只需提供单电源供电，便可进行读、擦/写操作。擦除速度一般为毫秒数量级。可重复擦写1万次以上。 5、 Flash Memory：闪烁存储器存储阵列由快闪叠栅MOS管构成，数据的擦除和写入是分开进行的，通过在快闪叠栅MOS的源极加正电压完成擦出操作，而在其栅极加高的正电压完成写入操作。因此，写入前，首先要进行擦出。 是 否 否 是 在系统可写 否 是 是 是 单管存储单元 否 是 是 是 高密度 是 是 是 是 非易矢性 E2PROM EPROM ROM 闪烁存储器 几种ROM性能比较 五、ROM简单应用实