固体光学-晶体光学7汇.pptVIP

晶体性质的测量与研究方法;一. 光学性质测量 1. 折射率 2. 光学透过性 3. 电光性能 4. 光折变性质、5.介电参数的测量 二. 铁电性质－电滞回线测量 三. 介电性质 四. 压电性质测量 1. 准静态法 2. 光学相干法 3. 谐振－反谐振法 五. 热释电性质;折射率 (最小偏向角法);折射率 (最小偏向角法);棱镜材料的折射率n与顶角a及最小偏向角dmin的关系式; 椭圆偏振仪根据偏振光束在介面表面反射时出现的偏振态变化来研究材料光学性质。椭偏仪对样品要求不高，测量薄膜和块材样品的折射率n，消光系数（extinction coefficient）k、厚度d（主要指薄膜样品）等有关参数，具有较灵敏、精度较高、使用方便等优点，而且是非破坏性测量。 椭偏法测量的基本思路是：起偏器产生的线偏振光经取向一定的1/4波片后成为椭圆偏振光，把它投射到待测样品表面时，只要起偏器取适当的透光方向，被样品表面反射出来的将是线偏振光。根据偏振光在反射前后的振幅和相位变化，便可以确定样品表面的光学特性。;椭偏仪组成部分：(1)光源。大多选用Xe或Hg-Xe灯，其强度从紫外(～190 nm)到近红外近似为常数；(2)偏振器。能将任何偏振态的光变成线偏振光。目前常用格兰－泰勒（方解石）偏振器；(3)1/4波片。可将线偏振光变为椭圆偏振光；(4)光束调制器。为方便探测，用于光强调制；(5)探测器。主要有光电倍增管、硅光电池和InGaAs等。;折射率 (棱镜耦合器);折射率 (棱镜耦合器);折射率 (测量方法比较);Sellmeier方程;光学性质测量;光学性质测量;起偏器;动态(交流电压)法测量要比静态(直流电压)法精确，因此测量时选择了一个交流电压V=Vmsinwmt，它在晶体中产生的相位延迟为 ;图中给出了输出光强随相位延迟的变化关系 ;在实际测量时，光信号转化成电信号，测量相应的电压值表示出它的强弱。如果用S0表示光电探测系统的转化系数，则有 ;光学性质测量;光学性质测量;光学性质测量;二波耦合光路; 当等光强的R光和S光在晶体中写入光栅后，关掉其中一束，写入的光栅便会被擦除。在擦除过程中，擦除光与它的衍射光在晶体内发生干涉，从而写入新光栅，新旧光栅之间的相互作用将影响擦除速率。 判断光激载流子类型的方法为，在上面的光路中，如果R光比S光擦除得慢，则说明能量由R光转移到S光，能量转移方向与晶体光轴方向相同，这时光激载流子以空穴为主；如果S光比R光擦除得慢，则说明能量由S光转移到R光，能量转移方向与晶体光轴方向相反，这时光激载流子以电子为主。 ;写入光栅的过程中，衍射再现的信号光强按照公式A(1-exp(-t/tr))进行拟合；擦除过程中，则按照公式Bexp(-t/te)进行拟合，这里的A和B为常量，tr和te分别是光栅写入和擦除时间。 ;G=[Asinq/(1+B-2sin2q)](cos2qi/cosqi) ;介电常数的测量 在电场作用下，电位移矢量D随电场强度E的变化关系为Di=?0?ijEj，式中?ij称为介电常数。影响介电常数的因素很多，如外电场的频率、电场强度、温度等。在人们研究介电材料的介电性与上述各影响因素关系的同时，发展了很多种测量介电常数的方法，下图给出了适用于不同频率范围的测量方法。; 对介电常数的测量，一般通过测量电介质的电容量来实现。对于足够大的平行平板电介质电容器，其电容可表示为：;频率较低时，测量电容的工作可由电桥来完成。利用不同结构的电桥，可以覆盖从0.01Hz至150MHz的频率范围。上式的适用频率为1kHz。;谐振法测量电容量的原理如图所示，由标准电感Ls和待测晶体电容C测组成振荡回路与高频传号发生器相耦合，调节频率使LC回路谐振，电压表指示值为最大，被测电容为:;晶体电光效应的研究;KDP类晶体的电光系数与半波电压的关系?63的纵向效应引起的位相差为：;如果晶体处于自由状态，由于反压电效应和电致伸缩效应，外电场会引起晶体的应变，所以，在这种情况下测得的电光系数已经包括了弹光效应的影响，称为自由电光系数(?Tijk)，它与真电光系数?Sijk，(即应变等于零时的电光系数)的关系为:;实际测量时，可不断地改变外加电压，记录光强相应的变化，作出I—V曲线。曲线的峰值处所对应的电压即为半波电压Vn.;一. 光学性质测量 1. 折射率 2. 光学透过性 3. 电光性能 4. 光折变性质、5.介电参数的测量 二. 铁电性质－电滞回线测量 三. 介电性质 四. 压电性质测量 1. 准静态法 2. 光学相干法 3. 谐振－