材料物理性能（郑兴华）09级介电性能2.pptVIP

第四章 材料的介电性能 复介电常数(Complex Dielectric Constant) 介质弛豫与德拜方程 与频率的关系 介质损耗 Dielectric Loss 介电损耗的形式 1．电导（或漏导）损耗 漏电流引起的损耗 2．极化损耗 消耗能量的极化形式引起的损耗。（松弛极化）。 3．电离损耗 含有气体的固体介质，在极化时，气体被电离吸收能量造成损耗。 影响因素 内因 结构 外因 温度T和频率ω 介质损耗和频率、温度的影响 4.3击穿电场强度（抗电强度） 一．电介质击穿 现象：材料从介电状态——导电状态。 原因：强电场下工作 V ≥ V穿 击穿场强 结果：固体材料被击穿、永久破坏，气、液可在外电场去掉时恢复性能。 影响因素：材料本身性质（内因），电极形状，温度，压力（外因）等 击穿形式：电击穿、热击穿、化学击穿。 抗电强度 二．击穿形式 1．电击穿 抗电强度 2．热击穿 3．化学击穿 材料内部电解、腐蚀、氧化、还原、气孔中气体电离。 抗电强度 三．影响抗电强度的因素 抗电强度（耐电强度）＝击穿场强。 1．温度 对电击穿影响不大，温度↑ 热击穿↑ 温度↑ → 促进化学击穿过程的进行。 2．ω对热击穿影响很大 ω↑越容易热击穿 抗电强度 四．抗电强度的测量与应用 （P188） 具体应用 仅有电子位移极化?e ? = ?e 10-14～10-15秒完成 Maxwell电磁理论 n—光折射率；??—光频介电常数； ?m—磁导率，非铁磁性物质，?m?1 （Lorentz-Lorenze Equation） 用直接测量值来表示 将克－莫方程两边乘以M/? (M：分子量；?：电介质密度) N0= 6.02?1023—阿佛伽德罗常数 Pm—摩尔极化强度 聚四氟乙烯(C2F4)n是一种非极性固体介质，它的光折射率n为1.43，分子量M为100，密度?为2.2~2.3g/cm3。试求聚四氟乙烯的电子极化率。 例 平行板真空电容器 加上交流电压U＝U0ei?t，则极板上电荷Q＝C0 U 在外电路上的电流： 电流与电压的相位差90? Relaxation and Debye Equations t 介质弛豫过程 P P0 P? P1? P1(t) 介质弛豫：介质的极化过程不是瞬时完成的，在外电 场作用下系统逐渐达到平衡状态的过程。 P0 —瞬时极化强度 P? —最终极化强度 P1(t) —弛豫极化强度函数 P1?—最终弛豫极化强度值 P(t) —极化强度函数 P(t)＝P0+P1(t) ＝ ＝?0(?r-1)E 而 Debye方程 ?S：静态相对介电常数 ??：高频相对介电常数 ?S=1+?0+ ?1 ? ? =1+?0 (恒定电场) (光频) 在0～?之间： lg 不同温度下的 、 和 频率特性曲线 从Debye方程中削去?? 半圆方程： 圆心： 半径： 频谱分析技术 介质加电场通过的电流： 电容电流—几何电容充电电流，不损耗能量。IC 介质极化过程的建立，即松弛极化所造成的电流， 引起损耗为极化损耗。 IP 介质电导(漏导)造成的电流引起损耗，为电导损 耗。 IR 实部 虚部 损耗角正切 损耗引子 Loss factor 用tan?值来研究电介质损耗的优点： tan?、?同时直接测量得到。如：电桥法、谐振法 tan?与试样大小、形状无关， 为电介质自身属性，远比?敏感。 （ 容抗） 交流电压下 I U IC IR ? R C 等效电路 ， 自由电荷的电导 与频率无关 束缚电荷的电导 是频率的函数 (极化的建立) ?=?P+?G 损耗率： 频率的影响 (1) 低?时， 四种极化都出现，?最大 无极化损耗,介损由漏导引起 ??0时，tan?最大，???tan?? p＝?E2 (与频率无关) 频率的影响 (2) ??，缓慢极化跟不上电场的变化??? ??1，随???tan?? p＝??tan?E2，??、tan???p? 当?m?＝1时，?tan?极大值 (3) ?? ? ，仅位移极化， ????(最小值) ??1，tan??，p变化不大 （ ） tan?? ?? 温度的影响 (1) 纯电导损耗 tan?、p??，与T成指数关系