Znop—Si异质结构的电学输运特性.PDF

V01．28 第28卷增刊 半导体学报 Supplement CHINESEJOURNALSEMICoNDUCToRS 2007年9月 OF Sep．，2007 Zno／p—Si异质结构的电学输运特性* 顾启琳1’’ 陈旭东1 凌志聪1 梅永丰2 傅劲裕2 萧季驹2 朱剑豪2 (1香港大学物理系，香港) (2香港城市大学物理与材料科学系，香港) 摘要：采用等离子体浸没离子注入沉积方法，在P型Si衬底上制备了具有整流特性的、非故意掺杂的以及掺氮的 为105Q·cm数量级)．非故意掺杂的ZnO／p-Si异质结在正向偏压下，当偏压大于0．4V，电流遵循欧姆定律．然而 对于掺氮的ZnO／p-Si样品，当偏压小于1．0V时，电流表现为欧姆特性，当偏压大于2．5V时，电流密度与电压的 平方成正比的关系．分别用Anderson模型和空间电荷限制电流模型对非故意掺杂和掺氮的ZnO／p-Si异质结二极 管的电流输运特性进行了懈释． 关键词：PIIID}ZnO／p-Si异质结；Anderson模型；空间电荷限制模型；电流输运 PACC：7360L；7340L 中图分类号：0472 文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2007)SO-0149-04 析了载流子输运的物理机制． 1 前言 2 实验 ZnO是一种具有良好特性的宽禁带半导体，有 着广泛的应用前景，例如紫外光电子器件、透明大功 率高频电子器件、表面声学波器件、压电电子变频器 ZnO薄膜，实验中使用的衬底材料是电阻率为10--,- 以及化学气体传感器等．现在已经可以使用多种方 30a—cm的P型Si晶片，使用的等离子体浸没离子 法制备ZnO薄膜，如分子束外延、化学气相沉积、射 注入设备装有一个阴极电弧源．操作过程中压强保 频磁控溅射、脉冲激光沉积或者电子束蒸发等，并且 持在133．33×10一Pa．为了减少有害的大尺度粒 有多种衬底适合ZnO的生长，如Si、蓝宝石、SiC子，在阴极电弧源处形成的Zn等离子体被引导通 等[1~‘]．非故意掺杂的ZnO材料为n型，将其掺杂过一个磁过滤器，然后流进真空室．与此同时，将氧 为P型是相当困难的，通常把氮作为ZnO材料的P气混合进真空室，这样就形成了由Zn和O两种离 型掺杂剂．Look等人[5]首先通过分子束外延技术，子组成的二重等离子体．再向真空室引入氧气和氮 在掺Li的半绝缘ZnO衬底上生长出ZnO材料，用气的混合气体(氧气和氮气比为02：N：=1：1，流 通过射频等离子体产生的。和N的原子流进行掺 杂之后，空穴浓度达到9×1016cm～，空穴迁移率为 掺杂．X射线衍射实验显示，所有的ZnO薄膜在 2cm2／(v·s)．然而，在一些研究中[6’7]，掺杂后的材(0002)方向都是高取向性的，除此之外观测不到其 料变为高阻，并且观测不到P型特性． 他相关ZnO的衍射峰．在X射线衍射谱上观测到 了解ZnO及其相关体系的电学性质，对成功地 进行材料及器件的制备都具有重大意义，但是ZnO 这意味着我们生长的薄膜有着很高的结晶度． de 材料的电流输运性质以及基于ZnO材料的结构还 利用VanPauw结构对非故意掺杂的和掺 没有被广泛地研究和充分地了解．本研究中，我们利 氮的样品分别进行了室温下的霍尔效应测量．利用 8j，在 用等离子体浸没离子注入沉积方法(PIIID)t热蒸发的方法，分别在ZnO薄膜和