3 场效应晶体管及其放大电路要点.ppt

故 由于 + _ _ + g s d _ + b. 求输入电阻Ri 故 c. 求输出电阻Ro 画出求Ro的等效电路 + _ _ + g s d _ + + _ _ + g s d _ + 由于 ugs=ui=0 1. 比较共源极场效应管放大电路和共发射极晶体管 放大电路，在电路结构上有何相似之处？在性能 上各有何特点？ 2. 增强型绝缘栅场效应管放大电路的直流偏置能否 采用自给偏压方式？为什么？ 思 考 题 [例1] 在图示电路中: O ui uo 3p O 2p p w t 3p 2p p w t (a) (b) 练 习 题 RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - (1) 如果电路输入、输出电压的波形分别如图(a)、(b)所示。试问该电路的静态工作点可能处于或靠近哪个区？ (2) 已知T工作于放大区及IDQ，RG1和RG2，求RS； (3) 在线性放大条件下，写出电路的Au、Ri及Ro的 表达式。 O ui uo 3p O 2p p w t 3p 2p p w t (a) (b) RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - [解] 由图可知，该电路是一由N型沟道增强型MOS场效应管组成的共源极放大电路。 O ui uo 3p O 2p p w t 3p 2p p w t (a) (b) RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - (1) 由于电路的输出波形负半周出现了失真，故该电路的静态工作点Q靠近可变电阻。 O ui uo 3p O 2p p w t 3p 2p p w t (a) (b) RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - 将以上两式联立求解得 (2) 已知T工作于放大区 IDQ= K(UGSQ–UGS(th))2 故 而 RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - (3) 微变等效电路 · RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - 由微变等效电路可得 [例2] 电路如图所示，已知T1的gm 和T2的?、rbe。试写出电压放大倍数Au 的表达式。 · [解] 该电路是由场效应管和晶体管组成的放大器。 画出电路的微变等效电路 T1 +VCC RG uo + ui + C1 RC T2 C2 + + - - ? 微变等效电路 T1 +VCC RG uo + ui + C1 RC T2 C2 + + - - ? RC RG uo ui ugs gmugs s g d rbe ? ib ib + – + – + – 由图可知 故电压放大倍数 · · · · · · · · · · · RC RG uo ui ugs gmugs s g d rbe ? ib ib + – + – + – * JFET符号 N沟道 P沟道 场效应管的特点（与双极型晶体管比较） (1) 场效应管是一种电压控制器件，即通过uGS来控 制iD； 双极型晶体管是一种电流控制器件，即通过iB来控制iC。 (2) 场效应管的输入端电流几乎为零，输入电阻非常 高; 双极型晶体管的发射结始终处于正向偏置，有一定 的输入电流，基极与发射极间的输入电阻较小。 (3) 场效应管是利用多数（一种极性）载流子导电的; 在双极型晶体管中二种极性的载流子（电子和空穴）同时参与了导电。 (4) 场效应管具有噪声小、受辐射的影响小、热稳定 性较好，且存在零温度系数工作点。 (5) 场效应管的结构对称，有时（除了源极和衬底在 制造时已连在一起的MOS管）漏极和源极可以 互换使用，且各项指标基本不受影响，使用方便、 灵活。 (6) 场效应管制造工艺简单，有利于大规模集成。 每个MOS场效应管在硅片上所占的面积只有双极 性晶体管5%。 场效应管的跨导小，当组成放大电路时，在相 同的负载电阻下，电压放大倍数比双极性晶体管 低。 (8) 由于MOS管的输入电阻高，由外界感应产生的电 荷不易泄露，而栅极上的绝缘层又很薄，这将在 栅极上产生很高的电场强度，以致引起绝缘层的 击穿而损坏管子。 2. 绝缘栅场效应管的栅极为什么不能开路？ 思 考 题 1.与双极型晶体管相比，场效应管主要有哪些特点？ 3.3 场效应管放大电路 3.3.1 场效应管