第八章薄膜的制备技巧.pptx

第八章 薄膜制备技术 ;;;8.1.1 物理气相沉积(physical vapor deposition );;;;;;8.1.2 化学气相沉积 (chemical vapor deposition );;Types of Chemical Vapor Deposition;主要方法有： （1）化学气相沉积：CVD技术可按照沉积温度、反应器内的压力、反应器壁的温度和沉积反应的激活方式进行分类。 （a）按沉积温度可分为： 低温（200~500℃）：主要用于基片或衬底温度不宜在高温下进行沉积的某些场合，如沉积平面硅和MOS集成电路的纯化膜。 中温（500~1000℃）和高温（1000~1300℃）CVD：广泛用来沉积III-V族和II-VI族化合物半导体。 （b）按反应器内的压力可分为： 常压化学气相沉积（APCVD）（~1atm）； 低压化学气相沉积（LPCVD）（10~100Pa） LPCVD具有沉积膜均匀性好、台阶覆盖及一致性较好、针孔较小、膜结构完整性优良、反应气体的利用率高等优点，不仅用于制备硅外延层，还广泛用于制备各种无定形钝化膜，如SiO2和Si3N4以及多晶硅薄膜 （c）按反应器壁的温度可分为热壁方式和冷壁方式CVD。 （d）按反应激活方式可分为热激活和等离子体激活CVD等。;主要优点是： ①高的沉积速率； ②能保证正确的化学计量比，易形成单一结晶结构； ③易形成均匀、大面积薄膜； ④对化学液相沉积，易进行微量、均匀掺杂来改进薄膜性能； ⑤低成本设备购置与维修。 主要缺点是： ①对CVD方法，有机源难以制备并有毒，易对环境带来污染； ②对化学液相沉积，薄膜厚度难以精确控制。 ;8.2 真空蒸镀;;;蒸发源的类型; 蒸发源材料;;;;8.2.2 电子束加热源;;E-beam Evaporation of Thin films;;8.2.2.2 电子束加热原理;;3.2.3 脉冲激光沉积法;;;PLD的基本原理及物理过程 整个PLD镀膜过程通常分为三个阶段。 （1）激光与靶材相互作用产生等离子体 激光束聚焦在靶材表面，在足够高的能量密度下和短的脉冲时间内，靶材吸收激光能量并使光斑处的温度迅速升高至靶材的蒸发温度以上而产生高温及烧蚀，靶材汽化蒸发，有原子、分子、电子、离子和分子团簇及微米尺度的液滴、固体颗粒等从靶的表面逸出。 （2）等离子体在空间的输运（包括激光作用时的等温膨胀和激光结束后的绝热膨胀） 等离子体火焰形成后，其与激光束继续作用，进一步电离，等离子体的温度和压力迅速升高，并在靶面法线方向形成大的温度和压力梯度，使其沿该方向向外作等温（激光作用时）和绝热（激光终止后）膨胀，此时，电荷云的非均匀分布形成相当强的加热电场。在这些极端条件下，高速膨胀过程发生在数十纳秒瞬间，迅速形成了一个沿法线方向向外的细长的等离子体羽辉。 （3）等离子体在基片上成核、长大形成薄膜 激光等离子体中的高能粒子轰击基片表面，使其产生不同程度的辐射式损伤，其中之一就是原子溅射。入射粒子流和建设原子之间形成了热化区，一旦粒子的凝聚速率大于溅射原子的飞溅速率，热化区就会消散，粒子在基片上生长出薄膜。;PLD方法制备薄膜的优点： ①高能量密度使PLD可以蒸发金属、陶瓷等多种材料，有利于解决难熔材料（如钨、钼及硅、碳、硼化合物）的薄膜沉积问题； ②化学计量比精确；瞬间爆炸式形成的等离子体羽辉不存在成分择优蒸发效应，加上等离子体发射沿靶轴向空间约束效应，对于多数材料可以使膜的成分和靶材的成分十分一致。因而可以得到和靶材成分一致的多元化合物薄膜，甚至含有易挥发元素的多元化合物薄膜。 ③沉积过程可引入多种活性气体如O2、H2、NH3等进行反应溅射，使制备多元素的化合物薄膜极为方便。 ④能简便有效地把高能量密度激光引入溅射沉积真空室，获得并保持沉积室高真空度或纯度。激光对靶的整体加热效应不大，因而靶材一般无需冷却，使靶的运动和更换非常方便。沉积室的高真空度或纯度加上灵活的换靶装置，使制备多元素膜、多层膜、复合膜和实现膜的掺杂非常方便。;;3.3 溅射法(Sputtering);;1、溅射离子的来源 溅射法基于荷能粒子轰击靶材的溅射效应，而整个溅射过程都是建立在辉光放电的基础之上，即溅射的离子都来源于气体放电。不同的溅射技术采用不同的辉光放电形式，根据所加电场的不同，分为直流辉光放电和射频辉光放电。 辉光放电溅射，靶材作为阴极，被镀件作为阳极或偏置，可以放在阴极暗区之外任何方便的地方。 2、辉光放电过程 定义：辉光放电是在真空度约为1~10Pa的稀薄气体中，两个电极之间加上高压时产生的一种稳定的自持放电，是气体放电的一种类型。 1）为什么会产生辉光放电？ 空气中有游离的离子，在电场加速获得能量后，与气体分子碰撞并使其电离，产