第二章MOS器件物理基础技巧.pptxVIP

12;2.1 一般性考虑 2.1.1 以MOSFET做为开关 2.1.2 MOSFET结构 2.1.3 MOS符号 2.2 MOS I/V特性 2.2.1 阈值电压 2.2.2 I/V特性的推导 2.3 二次效应;学习集成电路设计的方法;MOSFET做为开关;MOSFET结构;基板連接;PMOS元件;MOS符号;NFET的阈值电压;阈值电压;PFET的開啟;類比CMOS積體電路設計 第二章 基本MOS元件物理;24;I/V特性的推导(三);三極管區汲極電流電壓關係圖;深三極管區之電阻特性; 如圖2.14(a)所示，繪出 M1 之開啟電阻和之關係圖。假設 μnCox= 50 μA/V2，W/L= 10，VTH= 0.7V。注意其汲極端為開啟狀態。 答： 因為汲極端被開啟，ID= 0 且 VDS= 0，因此如果元件開啟時，將操作於深三極管區。當 VG1V+VTH 時，M1 關閉且 RD= ∞。當 VG1V+VTH 時，我們得到 此結果繪於圖2.14(b)中。;飽和區之成因;飽和區電流推導及電流源;PMOS元件之電流公式;跨导;飽和區和三極管區之概念示意圖; 如圖2.19所示，繪出轉導和之關係圖。 答： 當 VDS 從無限大開始減少，了解 gm 是較為簡單的，只要 VDS ≧ Vb－VTH，M1 將操作於飽和區，ID 則為常數。從式(2.18)得知 gm 亦為常數。當 VDS Vb－VTH 時，M1 操作於三極管區，且： 如圖2.19所示，如果元件進入三極管區時，轉導將會減少，而為了放大之故，我們通常使用MOSFET之飽和區。;基板效應;体效应; 如圖2.23(a)所示，繪出 VX 從 －∞ 至 0 之汲極電流圖。假設 VTH0= 0.6V，γ= 0.4V1/2，2ΦF= 0.7V。 答： 如果負 VX 值夠大時，M1 臨界電壓將會超過 1.2V 且元件為關閉狀態，也就是說 因此 VX1=－4.76V。當 VX1 VX 0 時，ID 將會增加。根據下式 圖2.23(b)顯示了其特性結果。;源衬电压随输入输出电压的变化;沟道长度调制效应; 維持所有參數為常數，繪出當 L=L1 及 L= 2L1 時，MOSFET之 ID/VDS 特性圖。 答： 我們寫出下列式子 且 ，我們注意到如果長度加倍時，ID/VDS 斜率將會變為四分之一。此乃是因為 (圖2.26)，當給定一驅動閘極－源極電壓時，較大之 L 可提供較理想的電流源，但會降低元件之電流容量，因此 W 可能必須被等比例地增加。;亚阈值导电性;MOS器件设计; 画出图2.29(a)中电路布线设计图。 答： 注意 M1 和 M2 在节点 C 分享同一个源极/漏极接面，而 M2 和 M3 在节点 N 分享同一个 S/D 接面。我們猜測三個晶体管可以如图2.29(b)之佈線圖，將其餘端點連接起來，便可得到圖2.29(c)之佈線圖。注意 M3 之閘極多晶矽層無法直接連至 M1 之源極，因此需要另一條金屬連線。;MOS器件电容; 计算图2.32中二种结构的源极和漏极接面电容。; 答： 對圖2.32(a)之電晶體而言，我們可以得到 而對圖2.32(b)而言， 圖2.32(b)之幾何形狀被稱為摺疊(folded)結構。當我們提供同樣的 W/L 時，圖2.32(b)之汲極接面電容比圖2.32(a)還小。 在上述計算中，我們已假定源極或汲極之總周長為 2(W+E) 乘上 Cjsw。面對通道之側邊電容可能會比其它三個側面電容小，因為通道截止佈植效應(channel-stop implant)(見第十七章)。儘管如此，我們還是假定所有的四個側邊都有相同的單位電容，因為電路中的每個節點都連結至許多其它的元件電容，故由假設所造成的誤差可以忽略不計。;不同功作区中的元件电容; 繪出 VX 由 0 變至 3V 時，圖2.34中 M1 之電容圖。假設 VTH= 0.6V 且 λ=γ= 0。;49;MOS小信号模型;MOS小信号模型;利用折叠來减少栅极电阻;完整的MOS小信号模型;;MOSSPICE模型;NMOS与PMOS器件的比较;长沟道器件与短沟道器件的比较;利用折叠来减少栅极???阻;用作电容器的MOS器件的特性;结 束