贵州大学–固体物理学教案6–2.pptVIP

贵州大学新型光电子材料与技术研究所 §6.3 功函数和接触电势 一、热电子发射和功函数 A：常数 W：功函数（或脱出功） V0 EF 0 x V W 金属 真空 热电子发射的电流密度为 —— Richardson定律 V0：真空能级（即势阱的深度） W：几个eV 热电子发射电流密度 —— Richardson定律 其中 不同的金属有不同的功函数，由于热膨胀，W是温度的函数 5.36 4.89 4.46 4.45 4.20 3.67 2.22 2.28 2.48 Pt Au Ag Cu Al Mg K Na Li 几种金属功函数的平均值（eV） 二、接触电势 W1 W2 (EF)2 (EF)1 金属1 金属2 W1 W2 EF 金属1 金属2 eV12 接触电势差: 金属1：带正电，V1 0，静电势能－eV1 0 金属2：带负电，V2 0，静电势能－eV2 0 §6.4 自由电子的输运问题 一、Boltzmann方程 有外场（如电场、磁场或温度梯度场）时，电子的能量E = E(r, k, t)，分布函数：f(r, k, t) 平衡时，电子的分布遵从Fermi－Dirac统计，f = f(E)，E = E(k) f(r, k, t)的物理意义：在t时刻，电子位置处在r－r+dr体积元内，状态处在k－k+dk范围内的电子数