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- 2017-05-21 发布于北京
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数字电路基础课件–数字教案(第7章)
作业:1、2、3、5、6、7、8、11、14 第七章 半导体存储器 第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 输入/出电路 I/O 输入/出 控制 !单元数庞大 !输入/输出引脚数目有限 二、分类 1、从存/取功能分: ①只读存储器 (Read-Only-Memory) ②随机读/写 (Random-Access-Memory) 2、从工艺分: ①双极型 ②MOS型 7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构 二、举例 地址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 两个概念: 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”,存储单元中有器件存入“1”,无器件存入“0” 存储器的容量:“字数 x 位数”=2nxm 掩模ROM的特点: 出厂时已经固定,不能更改,适合大量生产 简单,便宜,非易失性 7.2.2 可编程ROM(PROM) 总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同 写入时,要使用编程器 7.2.3 可擦除的可编程ROM(EPROM) 总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM(UVEPROM) 二、电可擦除的可编程
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