化合物半导体器件的辐射效应精选.ppt

化合物半导体器件的辐射效应 涉及的典型化合物半导体器件类型, 微电子器件: 单极器件—MESFET,双极器件—HBT 光电子器件: LED,LD,光探测器 微电子器件: GaAs MESFET, 结构及输出特性 结构 输出特性 GaAs MESFET的工作原理、优点及用途 工作原理:多子器件(单极),电压控制,类似MOSFET,但输入为金属同半导体接触的肖特基结 优点:由于、μ GaAs~6 μ Si, VGaAs(饱和)2V Si（饱和） ，因此， GaAs MESFET的工作频率比同类 Si器件高很多。 用途：自1976年问世以来发展迅速，从微波低噪声放大器件到微波功率器件，从厘米波到毫米波器件，广泛用于航天、通信、雷达、电子对抗等各种领域。 GaAs MESFET的总剂量电离辐射效应 由于不存在MOSFET那样的栅SiO2,因此总剂量电离辐射效应影响较小，很多实验证实， GaAs MESFE的耐总剂量电离辐射能力可以达到107rad以上。 增益Gp同γ总剂量的关系 噪声系数N同γ总剂量的关系 GaAs ME