2004_RadiationeffectsinchargecoupleddeviceimagersandCMOSactivepixelsensors.docxVIP

RADIATION EFFECTS IN CHARGE-COUPLED DEVICE (CCD) IMAGERS ANDCMOS ACTIVE PIXEL SENSORS介绍总电离剂量(由于带电粒子，X射线，γ射线)位移损伤（经常由于重粒子如质子和中子）除此之外，器件也会由于电离辐射在器件内沉积电荷而出现瞬态效应。TID损伤典型的CCD栅绝缘层是SiO2和Si3N4（在CCD电极工艺过程中起刻蚀阻挡的作用）的双层结构，总厚度在150nm左右。典型CMOS工艺的APS栅氧化层较薄（数纳米的量级），但场氧绝缘层却比较厚。电离辐射会在这些绝缘层中产生电子-空穴对并且其数目随着层厚度线性增加。一部分电荷会变成介质层中的陷阱电荷，另一部分则会释放氢导致界面陷阱。TID损伤与总电离剂量成正比于辐射类型无关，尽管在高剂量中（1Mrad）有时可以观测到饱和效应。在CCD和APS中，剂量率效应不显著，尽管有时候可以观测到。栅介电层有电容存在（随厚度增加而减小），陷阱电荷会造成平带电压漂移，而界面陷阱会在表面（SiO2/Si界面）耗尽区域产生暗电流（产生过程大于复合过程，也就是自由载流子浓度要明显低于热平衡值时，所以只有耗尽区才会明显产生暗电流）。总剂量辐射导致的表面暗电流在全帧或帧转移CCD中，表面暗电流产生在有源时钟相位下的耗尽区表面，在APS（或行转移CCD）产生在光电二极管耗尽区表面（对于一些APS，在光电栅下）。界面陷阱的积累是十分缓慢的过程（包括氢扩散穿过氧化层），Co60辐照后，数周或数月内CCD的暗电流会增加2-3倍（尽管这个过程可以通过168小时的100°C加热来加速[美军标要求]，事实上，24小时的加热就足够了）。偏置器件的暗电流增加要大于非偏置器件。对于帧转移CCD的存储区域或暗参考像素，由于在工艺过程中氢会进入表面层而导致辐射导致的表面暗电流会增加2-3倍。除此之外，外围器件产生的氢和有源区之外的氢，有时会扩散进入而导致第一或最后列的暗电流增加，因此建议在成像过程避免使用这些区域。使用MPP模式可以消除表面暗电流，MPP模式使所有时钟低电平低于衬底电压使得表面反型，然后空穴会从衬底和沟道截止区域迁移到表面，填充表面陷阱。但要注意的是，如果总剂量很大(通常数十krad（Si）),平带电压漂移足够大使得表面无法反型，MPP方式将失效。MPP的缺点是减少了满井容量，为了解决这个问题可以使用动态暗电荷抑制和抖动时钟。空穴俘获时间随着CCD温度降低而增加，因此增大了暗电流的降低。在线性或行转移CCD（使用光电二极管元件）仍然可以使用反向模式，叫做‘pinned photodiodes’。表面暗电流随着温度变化很剧烈，因此冷却探测器是提高性能的有效手段。关于这个变化额经验公式是：是激活能，其范围是0.63-0.65eV（对于抖动时钟器件，有效激活能会增加）。平带电压漂移典型商用CCD偏置条件下的平带电压漂移大约为0.1V/krad（Si），未偏置则为一半到四分之一。图5显示了典型CCD的漂移。如果没有选择合适的时钟低电压，则在高剂量辐照后器件可能会离开反型模式使得暗电流增加。图6显示了一个典型CCD的读出电路。总剂量效应与CCD设计和电压容限有关。对于高于10krad（Si）的TID，输出偏置电压需要增加（VOD和VRD）并且在某些时候需要降低读出时钟(否则电荷不能通过输出栅OG进入放大器，使得成像能力彻底消失)。CCD加固可以通过减小介电层厚度或者采用加固氧化层工艺。使用双层SiO2/Si3N4介电层的好处是可以利用氮化物中的电子陷阱来平衡氧化层中的空穴电荷陷阱。对于CMOS APS由于氧化层厚度很小，所以平带电压漂移要小得多。CMOS APS器件中的寄生漏电流对于CMOS APS器件来说，更为严重的问题是场氧区造成漏电流路径所带来的功耗增加问题。表面的耗尽硅区域也会使得更多的暗电流增加。对于所有的氧化效应都有辐照后退火的可能性。幸运的是对于商用器件，可以通过使用抗辐射CMOS器件库版图来实现‘设计加固’，配合使用环栅晶体管有可能消除场氧漏电流效应。但这些措施的缺点是特殊的器件结构会减少器件的敏感区域（填充因子）和信噪性能。通过使用薄外延层，保护环和体接触可以抗SEL效应，缺点是使用薄外延层会降低红外响应（对于前照器件）。总剂量效应的测试由于表征一个器件是十分耗时的事情，所以使用低剂量率（使得短期退火不会影响测试）是十分有效的。幸运的是，辐照后退火通常发生在数周或数月后，而且在任何情况下，平带电压漂移都很小。位移损伤双空位V2（两个空位复合体）和E中心（磷空位复合体），会产生暗电流并会俘获少数载流子（降低CCD中的CTE）。大多数粒子的能量都会产生电离，只有0.1%或产生位移损伤。初级撞出原子PKA。质子和中子能转移给PKA的最大能